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晶體管輸入-輸出特性與電流傳輸特性的分析晶體管特性是其表示之間的關(guān)系的曲線的電流和電壓一的晶體管在特定配置。通過將晶體管配置電路視
超級(jí)結(jié)MOSFET及4引腳TO-247-4L封裝的組合在MOSFET的發(fā)展中,超級(jí)結(jié)技術(shù)(Superjunction technique)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率
TO-247-4L封裝為什么和超級(jí)結(jié)MOS管是絕配最新數(shù)據(jù)顯示,新型TO-247-4L封裝能夠解決超級(jí)結(jié)MOS管中的源級(jí)連接電感對(duì)開關(guān)速度的不利影響。根據(jù)
怎么為MOS管選擇最適合的驅(qū)動(dòng)電路在開關(guān)電源等電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,設(shè)計(jì)人員關(guān)心最多的是MOS管的幾個(gè)參數(shù),如導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。這
金氧場(chǎng)效應(yīng)晶體管-OSFET P溝道N溝道MOSFET的工作原理mosfet是電容器操作的晶體管器件。電容器對(duì)于操作MOSFET起著至關(guān)重要的作用。我們還稱
MOSFET電路類型集合與特性分析已成為最常用的三端子器件的MOSFET帶來了電子電路領(lǐng)域的革命。如果沒有MOSFET,現(xiàn)在集成電路的設(shè)計(jì)似乎是不可
CMOS晶體管的制造工藝流程在IC上制造的最復(fù)雜的元件是晶體管。晶體管具有各種類型,例如CMOS,BJT,F(xiàn)ET。我們根據(jù)要求選擇在IC上實(shí)施的晶體
功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方法功率MOS管即功率MOSFET,具有熱漂移小,驅(qū)動(dòng)電路簡單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度快,工作頻率高
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護(hù)與常規(guī)雙極晶體管不同,MOS管是電壓控制型器件,一般用于小電壓控制大電流的情況,包括開關(guān)電源
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不同類型的晶體管與功能應(yīng)用晶體管是一個(gè)有源元件,并且在所有電子電路中都在建立。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器,它們用于高和低
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