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CMOS的柵極-雙極型晶體管 P溝道MOSFET圖
2020-01-17
CMOS的柵極-雙極型晶體管 P溝道MOSFET圖圖14 23(a)為- CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強型MOSFET；對P
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MOS管的參數詳解
2020-01-17
MOS管的參數詳解MOS管主要參數如下：1 開啟電壓VT-開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開端構成導電溝道所需的柵極電壓；-規范
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n-p溝道mos管工作原理
2020-01-17
n-p溝道mos管工作原理P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯
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導通瞬間基極驅動圖解
2020-01-17
導通瞬間基極驅動圖解導通瞬間基極過驅動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導通集電極電流，需要有一個持續時間很短且峰值約為導通期間平均值2
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單片開關電源的基本原理解析
2020-01-17
單片開關電源的基本原理解析單片MOS開關電源的典型應用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關電源電路簡單、所用元件少，輸出與輸人間有電
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CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應措施介紹
2020-01-17
CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應措施介紹cmos應用在CMOS應用中能同時將p溝道mos管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴散步驟，
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晶體管工作原理-晶體管分類介紹-解析全面晶體管工作原理大
2020-01-16
晶體管工作原理-晶體管分類介紹-解析全面晶體管工作原理大全電力晶體管電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電
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驅動變壓器電路圖
2020-01-16
驅動變壓器電路圖驅動變壓器的恢復在驅動MOS晶體管Q2導通期間的開始部分，D1和S2將導通。但是當Ql已經關斷并且基—射結間的恢復電流已經變
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MOS場效晶體管-功率場效晶體管結構及工作原理
2020-01-16
MOS場效晶體管-功率場效晶體管結構及工作原理功率場效應晶體管（P-MOSFET）簡稱功率MOSFET，是使用大都載流子導電的半導體器材，且導通時只
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變壓器輔助緩沖器介紹
2020-01-16
變壓器輔助緩沖器介紹變壓器輔助緩沖器圖中的電路可以顯著減小甚至消除 RCD 緩沖器的變壓器漏感尖峰 ，而且不需要增大電（緩沖電容的增
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全橋拓撲?的工作原理
2020-01-16
全橋拓撲?的工作原理全橋變換器如圖 3 3 所示，其輸入與半橋變換器相同 ，采用倍壓全橋切換整流電路 。 全橋拓撲可用于構成接 440V
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開關電源半導體芯片圖
2020-01-16
開關電源半導體芯片圖三端單片性能特點三端單片開關電源芯片是目前國際上正在流行的新型開關電源芯片。專業從事電源半導體芯片設計和生產的