深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務熱線：18923864027
R
烜芯微推薦產品
ecommended
聯系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區振中路84號愛華科研樓7層
-
SiC MOSFET驅動電路設計基礎與原理介紹
2023-06-25
SiC MOSFET驅動電路設計基礎與原理介紹驅動電路設計基本要求SiC MOSFET對驅動電路的基本要求主要有:①驅動電流要足夠大，以縮短米勒平臺
-
SiC MOSFET輸出短路保護電路設計介紹
2023-06-25
SiC MOSFET輸出短路保護電路設計介紹SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個驅動功率小和無需并聯均流控制等顯著優勢。隨著 SiC M
-
SiC MOSFET RC吸收電路設計,參數計算介紹
2023-06-21
SiC MOSFET RC吸收電路設計,參數計算介紹本文提出了一種 SiC MOSFET 的漏源極之間充放電型 RC吸收電路參數的計算方法。首先根據波形
-
SiC MOSFET短路保護理解解析
2023-06-21
SiC MOSFET短路保護理解解析SiC MOSFET短路保護1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。2、IGBT短路后能
-
MOSFET驅動器電路配置圖文介紹
2023-06-21
MOSFET驅動器電路配置圖文介紹MOSFET驅動器柵極驅動典型配置使用MOSFET驅動器時可以采用許多不同的電路配置。很多時候，由于高的峰值電流、
-
MOSFET驅動器的功率損耗三個公式介紹
2023-06-20
MOSFET驅動器的功率損耗三個公式介紹MOSFET驅動器的功耗對MOSFET的柵極進行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓的上
-
電路設計,MOSFET內部二極管應用逆變器介紹
2023-06-20
電路設計,MOSFET內部二極管應用逆變器介紹MOSFET體內二極管MOSFET中用內部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產生的反向EMF尖峰的影
-
MOSFET的寄生電容,靜電容量解析
2023-06-20
MOSFET的寄生電容,靜電容量解析MOSFET的靜電容量在構造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在
-
MOSFET的開關及其溫度特性介紹
2023-06-17
MOSFET的開關及其溫度特性介紹關于MOSFET的開關時間柵極電壓ON OFF之后，MOSFET才ON OFF。這個延遲時間為開關時間。開關時間如表1所示種類
-
電機PWM驅動,MOSFET寄生二極管功耗介紹
2023-06-17
電機PWM驅動,MOSFET寄生二極管功耗介紹本文分析一下使用有刷直流電機驅動器IC進行PWM驅動時，通過輸出MOSFET的寄生二極管進行電流再生時的
-
MOSFET的截止頻率計算介紹
2023-06-17
MOSFET的截止頻率計算介紹MOSFET的截止頻率定義在MOS源極和漏極接交流地時，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為：transit frequency(fT)
-
MOS管各種泄漏電流的原因解析
2023-06-17
MOS管各種泄漏電流的原因解析MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內的封裝密度。這導致氧化層厚度的減少，進而降低了