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什么是電壓?電壓就是指某點(diǎn)相關(guān)于參考點(diǎn)的電位差。某點(diǎn)電位高于參考點(diǎn)電位稱(chēng)為正電壓,某點(diǎn)電位低于參考點(diǎn)電位稱(chēng)為負(fù)電壓。電壓的符號(hào)是U
mosfet管-mosfet管驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)知識(shí)大全MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路根底的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些材料。在運(yùn)用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,帶
場(chǎng)效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)與主要用途?場(chǎng)效應(yīng)管由于具有輸入阻抗非常高(可達(dá)l09~lO15Ω)、噪聲低、動(dòng)態(tài)變化范圍大和溫度系數(shù)小,且為電壓
主要適用于:開(kāi)關(guān)電源、報(bào)警器、控制器、安定器、電表、電動(dòng)工具、逆變器、充電器、保護(hù)板、電動(dòng)車(chē)等場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)型號(hào)1N60H
1 功率管的展開(kāi)功率器件近年來(lái)曾經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通訊范疇被普遍應(yīng)用的LDmos 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 (
mos管電壓常遇到MOS管Vgs電壓過(guò)大會(huì)損壞管子,但是從原理上看,似乎不然呀?當(dāng)vGS數(shù)值較小,吸收電子的才能不強(qiáng)時(shí),漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電
快恢復(fù)二極管的特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)在幾百納秒(ns)以下,超快恢復(fù)二極管以致能抵達(dá)幾十納秒。反向恢復(fù)時(shí)
mos管擊穿的原因分析與解決方法關(guān)于穿通擊穿,有以下一些特征:(1)穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過(guò)程中,電流有逐漸增大的特征,這是因?yàn)楹谋M
增強(qiáng)型NMOS管的工作原理當(dāng)NMOS管的柵極與源極短接(即NMOS管的柵/源電壓VGS=O)時(shí),源區(qū)(N+型)、襯底(P型)和漏區(qū)(N+型)形成兩個(gè)背靠背的
封裝在完結(jié)地圖規(guī)劃并經(jīng)工藝廠家流片后,能夠選用兩種辦法對(duì)芯片進(jìn)行功能、功能測(cè)驗(yàn):一種辦法是直接鍵合到PCB(印制電路板)上,另一種辦
鋰電池保護(hù)板電池能正常工作,很大程度上得益于保護(hù)板,因而保護(hù)板也有電池保護(hù)神之稱(chēng) 鋰電池保護(hù)板的工作原理鋰電池保護(hù)板主要由維護(hù)IC(