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CMOS晶體管的制造工藝流程
2020-01-02
CMOS晶體管的制造工藝流程在IC上制造的最復雜的元件是晶體管。晶體管具有各種類型，例如CMOS，BJT，FET。我們根據要求選擇在IC上實施的晶體
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功率MOSFET并聯時產生寄生振蕩的原因與解決方法
2019-12-31
功率MOSFET并聯時產生寄生振蕩的原因與解決方法功率MOS管即功率MOSFET，具有熱漂移小，驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高
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MOS管驅動電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護
2019-12-31
MOS管驅動電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護與常規雙極晶體管不同，MOS管是電壓控制型器件，一般用于小電壓控制大電流的情況，包括開關電源
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FET晶體管的類型與MOS管工作原理應用
2019-12-31
FET晶體管的類型與MOS管工作原理應用場效應晶體管或FET是晶體管，其中輸出電流由電場控制。FET有時被稱為單極晶體管，因為它涉及單載波型操
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不同類型的晶體管與功能應用
2019-12-31
不同類型的晶體管與功能應用晶體管是一個有源元件，并且在所有電子電路中都在建立。它們用作放大器和開關設備。作為放大器，它們用于高和低
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如何使用晶體管作為開關與應用
2019-12-31
如何使用晶體管作為開關與應用晶體管由威廉·肖克利（William Shockley）于1947 年發明。晶體管是一種三端半導體器件，可用于開關應用，
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什么是MOS控制晶閘管與工作應用
2019-12-31
什么是MOS控制晶閘管與工作應用MOS控制晶閘管由VAK Temple開發。它是一個電壓控制器，晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GT
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雙極結型晶體管的工作原理及應用
2019-12-31
雙極結型晶體管的工作原理及應用雙極結型晶體管使用電子和空穴這兩個電荷載流子。諸如場效應晶體管之類的單極晶體管僅使用一種電荷載流子。
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晶體管作為放大器-電路圖與工作原理
2019-12-30
晶體管作為放大器-電路圖與工作原理晶體管是三端子半導體器件，端子是E（發射極），B（基極）和C（集電極）。該晶體管可以在三個不同的區域
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IGBT絕緣柵雙極晶體管電路與特性
2019-12-30
IGBT絕緣柵雙極晶體管電路與特性IGBT是半導體器件，IGBT的縮寫是絕緣柵雙極晶體管。它由具有大范圍雙極性載流能力的三個端子組成。IGBT的設
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晶體管用作開關-雙極結晶體管-BJT作為開關
2019-12-30
晶體管用作開關-雙極結晶體管-BJT作為開關晶體管用作開關或雙極結晶體管或BJT作為開關的工作原理：當開關處于OFF位置時，開關提供開路（無
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共源共柵放大器的工作原理與應用
2019-12-30
共源共柵放大器的工作原理與應用共源共柵放大器用于增強模擬電路的性能。共源共柵的利用是一種常見的方法，可用于晶體管以及真空管的應用中