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碳化硅MOSFET優勢分析-具體有哪些優勢詳情
2020-05-15
碳化硅MOSFET優勢分析-具體有哪些優勢詳情碳化硅MOSFET有哪些優勢？（一）開關損耗碳化硅MOSFET有哪些優勢，下圖1是1200V HighSpeed3 IGB
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MOS管源極與漏極可以互換嗎-三極管與MOS做開關時有何區別
2020-05-15
MOS管源極與漏極可以互換嗎-三極管與MOS做開關時有何區別場效應管D極與S極能否隨意互換？場效應管可分為結型場效應管（簡稱JFET）和絕緣柵
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MOS管擊穿-MOS管擊穿分析
2020-05-14
MOS管擊穿-MOS管擊穿分析MOS管擊穿有哪些?場效應管的三極：源級S 漏級D 柵級G。先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，
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為什么MOS管飽和區溝道夾斷了還有電流與飽和區電流公式
2020-05-14
為什么MOS管飽和區溝道夾斷了還有電流與飽和區電流公式隨著漏源電壓不斷增大，當達到夾斷電壓時，溝道厚度在漏極處減薄為零，溝道在漏極處
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如何理解場效應管參數-解讀MOS管參數
2020-05-14
如何理解場效應管參數-解讀MOS管參數場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（ju
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碳化硅MOSFET驅動核與驅動要求和特性詳解
2020-05-14
碳化硅MOSFET驅動核與驅動要求和特性詳解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET
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MOS管半導體結構與如何制造詳解
2020-05-14
MOS管半導體結構與如何制造詳解MOS管作為半導體領域最基礎的器件之一，無論是在IC 設計里，還是板級電路應用上，都十分廣泛。MOS管一般是
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MOS管半導體-MOS管選型和測量方法
2020-05-14
MOS管半導體-MOS管選型和測量方法MOS管的英文全稱叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金屬氧化物半導
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MOS管電壓型靜電擊穿分析
2020-05-14
MOS管電壓型靜電擊穿分析今天主要講MOS管電壓型靜電擊穿特點。其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小
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mos管漏電流和VGS的關系與MOSFET柵漏電流噪聲分析
2020-05-13
mos管漏電流和VGS的關系與MOSFET柵漏電流噪聲分析mos管漏電流與VGS呈指數關系至此，所考慮的MOS晶體管的工作，都是柵極—源極間電壓VGS比閾
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MOS管發熱異常匯總-排查原因優化設備運行
2020-05-13
MOS管發熱異常匯總-排查原因優化設備運行在電路設計的時候常常會發生MOS管發熱的情況，而MOS管發熱說明了它正在錯誤運行。為了避免MOS管發
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碳化硅mosfet結構特征-應用優勢和Si MOSFET對比分析
2020-05-13
碳化硅mosfet結構特征-應用優勢和Si MOSFET對比分析什么是碳化硅mosfet在碳化硅mosfet的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比