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可控硅dIT/dt測(cè)試線(xiàn)路的設(shè)計(jì)及測(cè)量
2020-08-07
可控硅dIT dt測(cè)試線(xiàn)路的設(shè)計(jì)及測(cè)量摘要：dIT dt是衡量可控硅可靠性的一個(gè)重要參數(shù)，過(guò)高的dIT dt可能會(huì)導(dǎo)致可控硅損壞或失效，故設(shè)計(jì)一個(gè)能
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電容器選用的基本知識(shí)介紹
2020-08-07
電容器選用的基本知識(shí)介紹三 電容器的種類(lèi)電容器由于電極的材質(zhì) 介質(zhì)和構(gòu)造的不同 有許許多多的種類(lèi) 同時(shí)由于新材質(zhì)與介質(zhì)的出現(xiàn) 市上
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單電源供電回路中怎么獲得正負(fù)電源
2020-08-07
單電源供電回路中怎么獲得正負(fù)電源單電源供電回路中獲得正負(fù)電源的特殊方圖1所示極性變換電路的核心器件為普通的非門(mén)。由于輸入端與輸出端
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超級(jí)電容器儲(chǔ)能技術(shù)與其應(yīng)用
2020-08-06
超級(jí)電容器儲(chǔ)能技術(shù)與其應(yīng)用超級(jí)電容器，也叫電化學(xué)電容器，是20世紀(jì)60年代發(fā)展起來(lái)的一種新型儲(chǔ)能元件。1957年，美國(guó)的Becker首先提出了可
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校準(zhǔn)示波器的具體步驟介紹
2020-08-06
校準(zhǔn)示波器的具體步驟介紹1）測(cè)試步驟（a）插好示波器的電源線(xiàn)，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)，電源指示燈亮，待出現(xiàn)掃描線(xiàn)后，調(diào)節(jié)亮度到適當(dāng)?shù)奈恢茫{(diào)節(jié)
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集成電路的種類(lèi)介紹
2020-08-06
集成電路的種類(lèi)介紹在電子行業(yè)，集成電路的應(yīng)用非常廣泛，每年都有許許多多通用或?qū)Ｓ玫募呻娐繁谎邪l(fā)與生產(chǎn)出來(lái)，本文將對(duì)集成電路的知識(shí)
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怎么選擇開(kāi)關(guān)電源的輸出濾波電容
2020-08-06
怎么選擇開(kāi)關(guān)電源的輸出濾波電容通常認(rèn)為開(kāi)關(guān)電源的輸出濾波電容越大越好，其實(shí)這種觀點(diǎn)是不全面的，影響開(kāi)關(guān)電源直流電壓輸出品質(zhì)的最重要
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圖解替代電解電容的薄膜電容在DC-Link電容中應(yīng)用
2020-08-06
圖解替代電解電容的薄膜電容在DC-Link電容中應(yīng)用在新能源及新能源汽車(chē)運(yùn)用中，電容器在能源控制、電源管理、電源逆變以及直流交流變換等系
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用超級(jí)結(jié)MOSFET時(shí)柵極會(huì)振蕩-要怎么解決
2020-08-06
用超級(jí)結(jié)MOSFET時(shí)柵極會(huì)振蕩-要怎么解決因?yàn)镸OSFET是單極性器件，因此寄生電容是開(kāi)關(guān)瞬態(tài)唯一的限制因素。電荷平衡原理降低了特定面積的導(dǎo)
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電源設(shè)計(jì)-MOS管驅(qū)動(dòng)電路圖解
2020-08-06
電源設(shè)計(jì)-MOS管驅(qū)動(dòng)電路圖解MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合
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超大容量電容器(EDLC)知識(shí)介紹
2020-08-05
超大容量電容器(EDLC)知識(shí)介紹超大容量電容器是近年來(lái)開(kāi)始被廣泛關(guān)注的新型電子元器件。它不同于傳統(tǒng)的電解電容器，它只有一個(gè)固體電極板，
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PCB板布局布線(xiàn)基本規(guī)則詳情
2020-08-05
PCB板布局布線(xiàn)基本規(guī)則詳情PCB又被稱(chēng)為印刷電路板(Printed Circuit Board)，它可以實(shí)現(xiàn)電子元器件間的線(xiàn)路連接和功能實(shí)現(xiàn)，也是電源電路