傳真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區振中路84號愛華科研樓7層
MOS管,MOS管串聯介紹MOS管串聯I-V曲線本來應該一樣,但是由于effL,PSE的存在,以及間接導致的DIBL,都會讓這兩個曲線有區別長溝道器件,兩
MOS管,各種MOS管的介紹在實際項目中,我們基本都用增強型mos管,分為N溝道和P溝道兩種。我們常用的是NMOS,因為其導通電阻小,且容易制造。
ESD器件防護的原理介紹一、ESD器件的主要性能參數1、最大工作電壓(Max Working Voltage)允許長期連續施加在ESD保護器件兩端的電壓(有效值
TVS管與ESD有什么區別介紹TVS管和ESD管都是保護器件,但是作用很不一樣。下面介紹:1 作用不一樣TVS管是瞬態抑制二極管,具有很快的響應能
集成穩壓電源的分類與特性介紹一、集成穩壓電源的分類線性穩壓器因其內部調整管與負載相串聯且調整管工作在線性工作區而得名。優點是: 穩
24V轉5V穩壓芯片,低功耗降線性穩壓器介紹PW6206系列是一個高精度,高輸入電壓低靜態電流,高速,低功耗降線性穩壓器具有高紋波抑制。輸入電
AMS1117穩壓芯片,AMS1117穩壓芯片知識介紹AMS1117是一個正向低壓降穩壓器,在1A電流下壓降為1 2V。AMS1117有兩個版本:固定輸出版本和可調版
三端集成穩壓器的相關問題解析78L05 78M05 79L0578L05管腳圖引腳圖及參數資料1)78L05和78M05的區別?三端穩壓集成電路,L和M表示最大輸出
電容的去耦特性知識理解電容去耦是電源完整性(Power Integrity,PI)設計里面很重要的一部分,而PI設計則是為了保證電源分配網絡(Power
去耦電容與旁路電容的詳解在電子電路中,去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。對于同一個電路來
關于電源去耦的知識解析了解基于電源抑制參數的去耦需求解析本文將討論如何通過電源去耦來保持電源進入集成電路(IC)的各點的低阻抗。諸如
單片機6N137高速光耦的電路圖解下圖可以看到3144霍爾傳感器內部組成,輸出信號處于三極管的集電極,當進入磁場后,output與GND導通之前使用