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介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)
2022-03-22
介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)值。基本上功率因數(shù)可以衡量電力被有效利用的程度，當(dāng)功率因數(shù)值越大，代表其電力利用率越高
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介紹幾種一鍵開關(guān)機(jī)電路方案詳解
2022-03-22
介紹幾種一鍵開關(guān)機(jī)電路方案詳解方案一一鍵開關(guān)機(jī)電路分析如下：電路工作流程如下：A、 Key按下瞬間，Q2、Q1導(dǎo)通，7805輸入電壓在8 9V左右
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N溝道,P溝道MOSFET開關(guān)電路圖介紹
2022-03-22
N溝道,P溝道MOSFET開關(guān)電路圖介紹NMOS（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬氧化物半導(dǎo)體）。在一塊摻雜濃度較低的P型硅
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氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率,緊湊的反激式電源介紹
2022-03-21
氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率,緊湊的反激式電源介紹氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位
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SiC MOSFET實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)測電路圖文分析
2022-03-21
SiC MOSFET實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)測電路圖文分析碳化硅設(shè)備或設(shè)備因在不久的將來有可能在電力電子設(shè)備（特別是大功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用）中替代硅的傳統(tǒng)設(shè)備
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驅(qū)動輸入端負(fù)壓抑制與尖峰形成原因介紹
2022-03-21
驅(qū)動輸入端負(fù)壓抑制與尖峰形成原因介紹許多高性能、高頻率的PWM控制芯片，無論是數(shù)字類型還是模擬類型，都不具備或只有有限的直接驅(qū)動功率M
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5V降壓轉(zhuǎn)3.3V或3V電路圖芯片圖解
2022-03-19
5V降壓轉(zhuǎn)3 3V或3V電路圖芯片圖解5V降壓轉(zhuǎn)3．3V和3V都是低壓,兩個(gè)之間的壓差效率,所以效率和工作溫度這塊都會比較優(yōu)秀,輸入和輸出的最低壓差
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逆變器,逆變器電路制作過程解析
2022-03-19
逆變器,逆變器電路制作過程解析這里介紹的逆變器（見圖1）主要由MOS 場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS 場效應(yīng)管和電源
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電源模塊,怎么保障電源模塊的高低溫性能
2022-03-19
電源模塊,怎么保障電源模塊的高低溫性能現(xiàn)在電源模塊的體積越來越小，功率密度也越來越高，并且模塊的工作環(huán)境也愈發(fā)惡劣，其高低溫設(shè)計(jì)、
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模塊電源的待機(jī)功耗究竟耗在哪
2022-03-18
模塊電源的待機(jī)功耗究竟耗在哪當(dāng)今社會越來越重視能源節(jié)約，無效損耗越小越好，特別是一些儀器儀表行業(yè)，在模塊電源應(yīng)用選型中，對模塊電源
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MOSFET,MOSFET的結(jié)構(gòu)介紹
2022-03-18
MOSFET,MOSFET的結(jié)構(gòu)介紹最近，國內(nèi)對MOSFET的需求大漲，導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨，很多廠商有錢買不到貨，這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增
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單片機(jī)控制的電動車鋰電池組設(shè)計(jì)方案介紹
2022-03-18
單片機(jī)控制的電動車鋰電池組設(shè)計(jì)方案介紹針對目前電動車鋰電池組所用的保護(hù)電路大多都由分立原件構(gòu)成，存在控制精度不夠高、技術(shù)指標(biāo)低、不