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淺析MOS場效應(yīng)晶體管的特征頻率與其措施事項
2022-05-10
淺析MOS場效應(yīng)晶體管的特征頻率與其措施事項MOS場效應(yīng)晶體管的特征頻率基本概念：在給定的發(fā)射中用于識別和測量頻率，例如載波頻率可被指定
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MOS管開通時間與關(guān)斷時間定義解析
2022-05-10
MOS管開通時間與關(guān)斷時間定義解析（一）在應(yīng)用過程中，以下幾個特性是經(jīng)常需要考慮的：1、V（BR）DSS 的正溫度系數(shù)特性。這一有異于雙極型
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MOS管損耗的8個部分詳解
2022-05-10
MOS管損耗的8個部分詳解MOSFET的工作損耗在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試
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開關(guān)電源,同步整流和異步整流分析
2022-05-09
開關(guān)電源,同步整流和異步整流分析DC DC轉(zhuǎn)換器的非絕緣型降壓開關(guān)穩(wěn)壓器有異步整流（二極管）式和同步整流式兩種。1 異步整流式是較早使用的
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MOS管被ESD擊穿,解決方案介紹
2022-05-09
MOS管被ESD擊穿,解決方案介紹MOS管ESD擊穿改善MOS管具有防靜電、防浪涌保護電路不受侵害的優(yōu)點而深受電子行業(yè)的喜愛，ESD靜電無處不在，存
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常用的ESD保護器件與性能比較介紹
2022-05-09
常用的ESD保護器件與性能比較介紹常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能
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解析放大電路的頻率響應(yīng)與帶寬介紹
2022-05-07
解析放大電路的頻率響應(yīng)與帶寬介紹放大電路中總是存在一些電抗性元件，如電容、電感、電子器件的極間電容以及接線電容與接線電感等。因此，
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碳化硅MOSFET設(shè)計的雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器介紹
2022-05-07
碳化硅MOSFET設(shè)計的雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器介紹電池供電的便攜設(shè)備越來越多，在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲
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關(guān)于快恢復(fù)二極管和應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹
2022-05-07
關(guān)于快恢復(fù)二極管和應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電
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CMOS功率開關(guān)反向電壓保護電路介紹
2022-05-06
CMOS功率開關(guān)反向電壓保護電路介紹CMOS 電路具有成本低、功耗低、速度快等優(yōu)點。各種接口電路，如 USB ， IEEE 1394 ， RS422 485等
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解析二極管反向擊穿電壓是多少
2022-05-06
解析二極管反向擊穿電壓是多少二極管反向擊穿電壓一般是工作電壓2-3倍。二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ?
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二極管應(yīng)用電路故障處理方法解析
2022-05-06
二極管應(yīng)用電路故障處理方法解析1 二極管整流電路及故障處理利用二極管的正向?qū)ā⒎聪蚪刂沟奶匦裕梢詫崿F(xiàn)電路的整流。二極管構(gòu)成的簡