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MOS管的柵極電阻詳解我們是否需要 MOSFET的柵極電阻?它應(yīng)該是什么作用?它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后?MOS管也可以沒(méi)有柵極電阻的情況下
超級(jí)結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)速度,導(dǎo)通損耗解決介紹超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件而開(kāi)發(fā)的,該技術(shù)已用于改善導(dǎo)通電阻與
電池供電電路設(shè)計(jì)實(shí)例介紹硬開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)實(shí)例硬開(kāi)關(guān)電路是將2節(jié)7號(hào)電池的串聯(lián)電壓通過(guò)DC DC轉(zhuǎn)換器MAX756轉(zhuǎn)換成3 3 V的電壓,電路圖如圖1所
兩種基本電流檢測(cè)電路介紹使用電流檢測(cè)電阻采樣電流,是測(cè)量電流的首選技術(shù)。測(cè)量電流的最簡(jiǎn)單方法是使用分流電阻器(最左側(cè)),通過(guò)該電阻
橋式整流電路輸出電容容值計(jì)算實(shí)例介紹電容的選型和電容在不同電路中的應(yīng)用場(chǎng)景有關(guān),這篇文章就主要以橋式全波整流電路為例子,來(lái)進(jìn)行所需
單相橋式整流電路圖,工作原理解析單相橋式整流電路單相半波整流電路的缺點(diǎn)是只利用了電源的半個(gè)周期,同時(shí)整流電壓的脈動(dòng)較大。圖1,單相橋
單相全橋PWM整流電路,原理圖文介紹圖 單相全橋PWM整流電路圖給出了單相PWM整流電路的原理框圖。在UPS中,圖中的負(fù)載即為逆變器和蓄電池。
詳解運(yùn)放失調(diào)電壓的影響與應(yīng)對(duì)介紹在理想運(yùn)算放大器的情況下,當(dāng)輸入電壓 (V i ) 為 0 V時(shí),V IN(+)和 V IN(-)端子的直流電壓完全
模擬設(shè)計(jì)中堆疊MOSFET介紹在28nm以下,由于最大器件長(zhǎng)度限制,模擬設(shè)計(jì)人員經(jīng)常要對(duì)多個(gè)短長(zhǎng)度的MOSFET串聯(lián)來(lái)創(chuàng)建長(zhǎng)溝道的器件。這些串聯(lián)連
MOSFET應(yīng)用,LLC電路中的MOSFET介紹不同于PFC和Flyback等電路(對(duì)MOSFET體二極管沒(méi)有要求),因?yàn)長(zhǎng)LC電路工作過(guò)程中,MOSFET的體二極管要參
啟動(dòng)電流詳解與怎么測(cè)試啟動(dòng)電流什么是啟動(dòng)電流啟動(dòng)電流是指電器設(shè)備(感性負(fù)載)在剛啟動(dòng)時(shí)的沖擊電流,是電機(jī)或感性負(fù)載通電瞬間到運(yùn)行平
BUCK同步整流SW點(diǎn)負(fù)壓產(chǎn)生與解決介紹下面是BUCK同步整流的實(shí)際等效模型,包括很多寄生電感,比如器件的引線電感,布線的寄生電感等。負(fù)壓產(chǎn)