MOS管發(fā)熱問(wèn)題通常由電路設(shè)計(jì)問(wèn)題、驅(qū)動(dòng)頻率過(guò)高、散熱設(shè)計(jì)不足或MOS管選型不當(dāng)?shù)纫蛩貙?dǎo)致。發(fā)熱會(huì)導(dǎo)致功率管損耗增加，從而影響MOS管性能。因此，應(yīng)關(guān)注散熱設(shè)計(jì)，選擇合適的散熱片，并選擇低導(dǎo)通電阻的MOS管以降低發(fā)熱問(wèn)題。
近期烜芯微經(jīng)常聽(tīng)到有伙伴說(shuō)：
“為什么我的MOS管會(huì)發(fā)熱，明明我的電流并不大啊？”
MOS管發(fā)熱問(wèn)題是MOS管應(yīng)用時(shí)常見(jiàn)的問(wèn)題，那么今天就來(lái)簡(jiǎn)單的帶大家了解MOS管發(fā)熱問(wèn)題以及如何應(yīng)對(duì)這樣的情況
我們先來(lái)了解MOS工作發(fā)熱的基本情況。
在MOS管中有幾個(gè)重要的參數(shù)：導(dǎo)通阻抗RDS（ON），柵極/驅(qū)動(dòng)電壓 VGS 以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流漏源極電流ID.
其中。導(dǎo)通阻抗RDS（ON）
與柵極（或驅(qū)動(dòng)） 電壓VGS 以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān)
在充分的柵極驅(qū)動(dòng)的情況下，RDS（ON）是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。MOS管在持續(xù)的導(dǎo)通情況下容易產(chǎn)生熱量，導(dǎo)致發(fā)熱，由此慢慢升高的結(jié)溫使RDS（ON）也逐漸增加，此時(shí)功率管的損耗也跟著增加，導(dǎo)致MOS管的發(fā)熱發(fā)燙。
總結(jié)下來(lái)，MOS管發(fā)熱大致可以分為以下幾個(gè)因素：
1. 電路設(shè)計(jì)問(wèn)題
MOS管工作主要在于線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，MOS管導(dǎo)通過(guò)程時(shí)間過(guò)長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致發(fā)熱
2.MOS管驅(qū)動(dòng)頻率太高，頻率與導(dǎo)通損耗就會(huì)成正比。因此在發(fā)熱時(shí)，可以看看頻率選擇的是否過(guò)高。此外，過(guò)分追求體積，也會(huì)導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大。
3.如果沒(méi)有做足夠好的散熱設(shè)計(jì)，通過(guò)漏極和源極的導(dǎo)通電流ID就會(huì)過(guò)大，不過(guò)，ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，因此需要足夠的輔助散熱片來(lái)幫助MOS管很好的散熱。
4.MOS管的選型時(shí)關(guān)鍵，我們?cè)谇懊嫣岬搅薘DS（ON）這個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它的變化是導(dǎo)致發(fā)熱的主要原因。因此選擇低導(dǎo)通電阻的MOS管是至關(guān)重要的，不過(guò)這里需要注意的是，內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大，具體應(yīng)用時(shí)要選擇內(nèi)阻合適的MOS管。
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