晶體三極管又稱晶體管、雙極型晶體管;
在晶體管中有兩類不同的載流子參與導電。
一、晶體管的結構和類型
晶體管的結構
在同一個硅片上制造出三個摻雜區域,并形成兩個PN結,就形成三極管。
2.晶體管的類型
基極為P的稱為NPN型,基極為N的稱為PNP型。
二、晶體管的電流放大作用
晶體管的放大狀態的外部條件:發射結正偏且集電結反偏。
發射結正偏:發射區的載流子可以擴散到基區
集電結反偏:基區的非平衡少子(從發射區擴散到基區的載流子)可以漂移到集電區。
如果發射結正偏,集電結也正偏,出現的情況將是發射區的載流子擴散到基區,同時集電區的載流子也漂移到基區。
1.晶體管內部載流子運動
①發射結正偏:發射區載流子向基區擴散,基區空穴向發射區漂移
②集電極反偏,非平衡少子運動:從發射區過來的載流子到達基區后,稱為非平衡少子(基區是P帶正電,載流子是電子,所以是非平衡少子; 基區空穴雖然是多子,但是數量比較少),一方面與基區的空穴復合(少量); 另一方面,由于集電極反偏,會產生非平衡少子的漂移運動,非平衡少子從基區漂移到集電極,從而產生漂移電流。 由于集電極面積非常大,所以可以產生比較大的漂移電流(到達基區的載流子,由于集電極反偏,所以對基區的非平衡少子有吸引,集電極帶正電,非平衡少子帶負電)
③集電極反偏,少子漂移電流:由于集電結反偏,處于基區的少子(電子)會漂移運到到集電區; 集電區的少子(空穴)會漂移運動到基區
2.晶體管中的電流分關系
三、共射電路放大系數
直流放大系數:放大系數:Ic=(1+β)IB
2.交流放大系數:直流電流放大系數可以代替交流電流放大系數
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