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GaAs二極管是一種新型寬帶隙功率半導(dǎo)體，它為設(shè)計人員提供了一種在高性能功率轉(zhuǎn)換中權(quán)衡效率和成本的方法。高壓硅二極管具有較低的正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會在電源轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。碳化硅二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計，但與硅相比，它確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)壓降。由于GaAs技術(shù)能夠提供硅和SiC的有用特性，本文比較了10kW、100kHz相移全橋(PSFB)的性能。在此應(yīng)用中對GaAs、SiC和超快硅二極管進行基準測試的結(jié)果表明，GaAs二極管以顯著降低的成本點實現(xiàn)了與SiC相當?shù)恼w效率。

1.為什么是砷化鎵?

(1)成本：用于GaAs二極管的晶圓的原材料成本及其固有的較低制造工藝成本，以及低價格實現(xiàn)了SiC性能的重要機會。封裝GaAs二極管的成本約為可比SiC部件的50%至70%。

(2)可用性：GaAs作為一種材料已經(jīng)廣泛用于射頻應(yīng)用，并且是世界上使用量第二大的半導(dǎo)體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術(shù)的低成本基礎(chǔ)。

2.軟切換還是硬切換?

與主流硅相比，碳化硅的性能在二極管和晶體管開關(guān)特性方面提供了顯著改善，但近年來的趨勢是使用軟開關(guān)拓撲在整個轉(zhuǎn)換器中實現(xiàn)最高水平的性能。這些軟開關(guān)拓撲非常適合GaAs二極管，使設(shè)計人員能夠從比SiC更低的傳導(dǎo)損耗中受益，而不會遭受普通硅會產(chǎn)生的額外動態(tài)損耗。

由于強制零電壓轉(zhuǎn)換所需的循環(huán)諧振能量，軟開關(guān)拓撲通常在給定功率輸出的功率半導(dǎo)體中運行更高的RMS電流。具有較低正向壓降的GaAs等技術(shù)可以減少這種循環(huán)能量造成的損耗，并充分發(fā)揮開關(guān)零電壓操作的優(yōu)勢。

3.二極管造成的功率損耗

“理想”二極管將在不產(chǎn)生任何損耗的情況下執(zhí)行其功能，但任何實際二極管(包括寬帶隙器件)都與這種理想情況不同，其實際行為的不同方面會導(dǎo)致功率損耗。在大多數(shù)轉(zhuǎn)換器中，次級側(cè)二極管造成的損耗可以歸為以下三個主要方面之一：

當二極管傳導(dǎo)電流時，非零正向壓降會導(dǎo)致傳導(dǎo)損耗。這種損耗機制與拓撲有關(guān)，但通常不是頻率的函數(shù)。

由于二極管的體電容引起的損耗，較高的電容導(dǎo)致較高的損耗。這是拓撲/頻率相關(guān)的，并且由此產(chǎn)生的損耗強加在轉(zhuǎn)換器中的其他組件上。

由于拓撲/頻率相關(guān)的反向恢復(fù)效應(yīng)造成的損耗。這些損耗在轉(zhuǎn)換器中的二極管和其他組件中出現(xiàn)。

上述損耗類型的相對水平取決于各個二極管的特性、拓撲選擇和工作頻率。正向傳導(dǎo)損耗相對容易計算，而由于二極管電容和Trr引起的損耗更復(fù)雜。

4.二極管性能比較

在基準測試期間比較了三個二極管，比較如圖1所示。

圖1基準二極管比較

數(shù)據(jù)比較表明，從正向傳導(dǎo)性能的角度來看，硅和砷化鎵的性能都更好，尤其是在高結(jié)溫下。從開關(guān)的角度來看，碳化硅具有明顯更高的電容，但反向恢復(fù)時間基本上為零。問題是，對于10kWPSFB應(yīng)用，這些二極管特性將如何影響整體效率?

5.二極管造成的PSFB損耗

圖2顯示了典型的PSFB拓撲，其中二極管在D1到D4位置進行了基準測試。PSFB通過以50%的占空比運行Q1/Q3和Q2/Q4晶體管對來運行，每個晶體管對通過控制它們的相對相位來控制功率流。這種操作允許初級側(cè)器件Q1-Q4在很寬的負載條件范圍內(nèi)以零電壓切換工作。

D1-D4的組合電容加到電源變壓器和PCB的分布電容上，會在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間導(dǎo)致D1-D4兩端的諧振電壓。

圖2PSFB拓撲

為防止損壞D1-D4，使用緩沖器將諧振電壓鉗位到可接受的水平。在PSFB中，對有源緩沖器吸收的能量進行量化是衡量動態(tài)特性(電容和Trr)影響的直接方法。總轉(zhuǎn)換器效率與緩沖器耗散的綜合知識允許在此應(yīng)用中準確地對二極管行為進行基準測試。

6.基準測試結(jié)果

原型轉(zhuǎn)換器設(shè)計用于最大500V/30A/10kW的輸出曲線，圖3顯示了轉(zhuǎn)換器在600V輸入下以330V/20A輸出運行的示例圖。示波器圖中的藍色軌跡(C3)顯示了在有源緩沖器兩端測得的電壓，并且由于鉗位功率是鉗位電壓的直接函數(shù)，因此有源緩沖器設(shè)計為使用自己的控制回路運行，以允許用戶將鉗位電壓設(shè)置為固定電平。在圖3的示例圖中，這是800V。

圖3PSFB轉(zhuǎn)換器工作波形(C1/C2是Q1/Q3和Q2/Q4對產(chǎn)生的電壓，C4是輸出整流器D1-D4兩端的電壓，C3是L2中的電流)

使用圖2中詳述的設(shè)計參數(shù)，圖4中所示的輸出曲線是可能的，其中彩色區(qū)域顯示了初級MOSFET的ZVS出現(xiàn)的區(qū)域，輪廓顯示了所需的相移。基準測試是在固定的600Vdc輸入和恒定電流負載的情況下進行的，該負載用于具有相移的輸出，然后更改設(shè)置輸出電壓。對于10A、15A和20A的輸出電流，效率和緩沖器功率耗散作為輸出電壓的函數(shù)進行測量，如圖5所示。

圖4具有ZVS區(qū)域和恒定相移輪廓的PSFB輸出VI映射

圖5PSFB效率(左)和緩沖器耗散(右)

從圖5中的結(jié)果可以得出幾個結(jié)論：

(1)基于GaAs和SiC的解決方案的整體轉(zhuǎn)換器效率幾乎相同，尤其是在更高的負載電流下。在更高的輸出電流下，由于GaAs有限Trr導(dǎo)致的略高的緩沖器損耗被較低的傳導(dǎo)損耗抵消，以提供相同的整體效率。

(2)由于高水平的緩沖器耗散(即與Trr相關(guān)的顯著損耗)，該應(yīng)用中的超快硅效率非常差。由于測得的緩沖器功率電平很高，因此使用HyperfastSilicon的測試僅限于低功率。

(3)GaAs和SiC緩沖器功率表現(xiàn)出類似的行為，表明由GaAs有限Trr引起的額外損耗在很大程度上被SiC器件的較高本機電容抵消。

根據(jù)這項實證工作，已經(jīng)開發(fā)了一個分析模型來將緩沖器損耗建模為二極管電容和Trr的函數(shù)。分析表明，在Trr期間，額外的能量被加載到諧振電路中，然后導(dǎo)致額外的鉗位耗散。因此，對于給定的工作點，緩沖器功率是二極管電容和Trr的函數(shù)。在所述的PSFB的情況下，對于500V/20A輸出的工作點，分析模型可用于預(yù)測緩沖器損耗與二極管電容和Trr的關(guān)系。這樣就可以比較三種二極管類型的行為，如圖6所示。

圖6顯示，對于GaAs和SiC，緩沖器功率大致相同，而SiC中的零Trr的優(yōu)勢被其較高的本機電容抵消。在超快硅的情況下，低二極管電容的好處被高得多的功率水平所淹沒，因為它的反向恢復(fù)時間長。GaAs的低本征電容和Trr提供了像SiC一樣的動態(tài)性能，并具有減少正向傳導(dǎo)損耗的額外好處。

圖6Trr和電容的函數(shù)的緩沖器功率

在原型PSFB中，變壓器、輸出電感器和PCB布局提供了300pF的總負載電容。圖6中顯示的數(shù)據(jù)包括所有情況下的基線電容，總二極管電容基于四個二極管的貢獻。

小結(jié)

以上就是GaAs二極管在高性能電源轉(zhuǎn)換中的作用介紹了。在查看整體轉(zhuǎn)換器效率時，重要的是要了解所有主要的損耗機制，包括由二極管動態(tài)特性引起的損耗機制。已經(jīng)表明，GaAs二極管中低正向壓降、低電容和低/穩(wěn)定Trr的組合提供了用于軟開關(guān)應(yīng)用(例如相移全橋)的出色特性組合。高增長應(yīng)用中的高性能電力電子設(shè)備，例如電動汽車充電，可以從GaAs二極管提供的系統(tǒng)級成本降低機會中受益匪淺。