開關(guān)管的選擇
一般選用N 型mos管作為開關(guān)管（下圖為電流波形）
漏源間擊穿電壓：在開關(guān)管截止時，將會承受最大的Vds,Vds =Vin + Vf，為了考慮余量，計算時將Vds= 1.2 (Vin + Vf) ；那在選用FET時，至少要保證選用的FET 漏源間能承受住這個電壓，條件允許的情況下，可以選用具有更大的Vds承受電壓的FET；
平均電流：ID =IO·Dl；
峰值電流：最大電流等于電感電流的最大值IDMAX = Ipeak=Io+ ½·?I；
導通電阻：在開關(guān)管完全導通后，會有一個穩(wěn)定的導通電阻Rsdon，這個值越小，消耗的功率就越少，選用FET時要特別注意。
額定功耗 ：P d = ID 2·Rsdon，選用的FET要能承受這個消耗功率且要留有余量。
最低驅(qū)動電壓： 要確認選用的FET所需最低的驅(qū)動電壓是多少，當前設計的回路能否提供這個電壓，一般來說，為了保證FET的Vgs電壓，在G極和S極一般會加一個自舉電容以保證達到啟動電壓。
二極管的選擇
下圖為二極管電流波形
反向擊穿電壓：在二極管截止時，將會承受最大的反向電壓Urev,Urev =Vin， 在選取二極管時，需要選擇比這個電壓高的；
平均電流：ID=IO·（1-D）l峰值電流：最大電流等于電感電流的最大值，
IDMAX = Ipeak=Io + ½ · ?I；
額定功率：Pd = ID·VF，選用的二極管能承受這個消耗功率且要留有余量；
正向?qū)妷篤F：二極管的正向?qū)妷篤F越小，功率消耗就越小，所以要盡可能地選擇VF比較小的；
反向恢復時間trr：在開關(guān)電路中，一定要選擇反向恢復時間快的二極管，不然電路會工作異常。按反向恢復速度快慢分類：普通整流二極管 > 500ns ,快恢復二極管(150, 500)ns，超快恢復二極管（10，150)ns, 肖特基二極管<10 ns。
R 的選擇
穩(wěn)壓反饋回路：
由于輸出可能存在過載或輕載的情況，輸出電壓可能不穩(wěn)，嚴重的話，輸出端短路，出于保護的目的，前端回路要及時得到這個反饋并關(guān)閉開關(guān)管。
那么如何進行進行這個電壓反饋呢？
其原理就是用電阻對輸出電壓進行分壓采樣，然后和IC內(nèi)部自帶的參考電壓Vref進行比較，采樣電壓高于或低于Vref，整個控制環(huán)節(jié)會進行工作，調(diào)節(jié)占空比。
當輸出電壓升高時，降低占空比，使輸出電壓降低；
當輸出電壓下降時，調(diào)高占空比，使輸出電壓升高從而實現(xiàn)穩(wěn)壓效果。
當輸出電壓穩(wěn)定在我們需要的目標值時，
VFB應該等于參考電壓Vref，
Vref= Vout·R2/(R2+R1)->Vout= Vref (1+ R1/R2)。
我們可以先設定R2的值，然后知道輸出電壓，就可以算出R1的值。考慮到消耗功率（電流參數(shù)）的影響，R1/R2的值選擇應是上K級別的，而且需要使用1%精密度的電阻。
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