大家可以常見的小功率電源幾乎都是反激電路，LED電源有些是單端/交錯正激，它們都是單端形式，磁芯只能利用第一象現(xiàn)。而推挽和橋式電路，利用了磁芯的一三象限，所以同磁芯、同頻率來比較功率會大4倍。所以大功率的電源基本都是橋式或推挽拓撲。在低壓升壓逆變電路中，幾乎都是推挽拓撲，因為它的電路最簡單，且開關(guān)管是共地且只需要2個。雖然現(xiàn)在很的PWM芯片都很完善，但是，自激電路非常簡單，業(yè)余條件下做了學(xué)習(xí)基本功，還是有意義的。
推挽自激電路，又名羅耶振蕩器，是1955年美國人羅耶發(fā)明并以他命名的一種電路。很明顯，1955年是沒有MOS管的，所以當時的電路是基于三極管的，但是三極管的缺點是非常多的，比如功率大的放大倍數(shù)小難驅(qū)動，正向壓降大，不能高頻化，還容易高頻自激而損壞。現(xiàn)在的很多場合都是用MOS管，我們能不能用MOS管來做自激呢？答案是肯定的。
MOS管推挽自激電路
如上圖。本電路的核心是變壓器T1和開關(guān)管Q1 Q2及一系列阻容。工作原理：當開關(guān)S1閉合的時候，繼電器的線圈得電，+12V電源經(jīng)過電感L1給變壓器N1 N2的中抽頭供電，而且，這個電流會通過C1及R2流向N3、N4的中抽頭，繼而通過N3 N4流向R3 R4之后流向Q1 Q2的柵極G極。
此時呢，如果我們用刻舟求劍的眼光去看，覺得Q1 Q2會一起導(dǎo)通而燒毀，但事實上是不會的。因為N1與N4是同名端，N2和N3是同名端，而這世界上沒有絕對相同的兩片樹葉，它們電感量、內(nèi)阻等絕對是會不一樣的，還有MOS管的導(dǎo)通電壓也不會是絕對樣的。這些累積起來的參數(shù)，只要有絲絲的差別，哪怕是偶然的差別，假設(shè)此時是Q1會領(lǐng)先一點輕微導(dǎo)通，此時N1上會有電流，繼而馬上互感到N3 N4上。而N4是同名端，它會馬上疊加電流/電壓到Q1的G-S極，產(chǎn)生極快的放大，并讓Q1徹底導(dǎo)通。
而N3是非同名端，它也會由弱到強地產(chǎn)生相反的電動勢，讓Q2的G-S極產(chǎn)生負壓，而非常果斷的關(guān)閉。當Q1導(dǎo)通之后，變壓器N1繞組達到磁飽和后，電流增加，而磁通量不會再增加，N4上就不能互感到電壓/電流后，N1上會迅速產(chǎn)生強烈的反相電動勢，此時，N4上的電動勢也跟著反向了，所以Q1會迅速截止。而此時對于N3來說是同名端了（因為N1上的電流反向了）此時N3通過R3把電流/電壓提供給了Q2，Q2也會馬上導(dǎo)通，當變壓器N2繞組再次達到磁飽和后，N2也會產(chǎn)生反向電動勢，讓N3也產(chǎn)生反向電動勢以上Q2截止，同時讓N4互感到電流讓Q1導(dǎo)通……這樣周而復(fù)始，就形成了振蕩。電感L1是退耦及限制峰值電流的，沒有它此電路的空載電流會非常大，開關(guān)管極熱且易壞。
建議實例：變壓器用EE磁芯，不可以有縫隙。以EE40為例，N1 N2用1.5mm的漆包線繞6匝之后抽頭再繞6匝。N3 N4用0.5mm 的漆包線繞5匝后抽頭再繞5匝。N5用0.5mm左右的漆包線繞55-60匝。其他阻容可以直接按圖中標注的參數(shù)。
這里要專門說一下的是為什么要用倍壓整流，因為這樣可以減小變壓器的匝比，且交流電壓很低，不易擊穿漆包線，減小危險。實踐中，如果不起振，可能是繞N1 N2與N3 N4時把方向搞錯了，可以調(diào)換N1 N2的頭尾而不動抽頭就可以了（當然也可以調(diào)換N3 N4的頭尾）。一對TO-220的管不易超過15A的電流，TO-247的管不宜超過30A。
另外，頻率的計算公式F=U/(4*B*S*W) 。式中U=12V，B是磁芯的飽和磁感強度，一般是0.6T，S是磁芯的中柱截面積，一定要換算成平方米。W是N1或N2的匝數(shù)。
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