MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗
對(duì)MOSFET的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量，無(wú)論充放電過程快或慢（柵極電壓的上升和下降）。因此，MOSFET驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影響由MOSFET柵極的容性負(fù)載產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)器功耗。
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分：
1.由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。
2.由于MOSFET驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。
3.MOSFET驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。
從上述公式推導(dǎo)得出，三部分功耗中只有一個(gè)與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關(guān)頻率時(shí)。
為了計(jì)算公式1的值，需要知道MOSFET柵極電容。MOSFET柵極電容包含兩個(gè)電容：柵源電容和柵漏電容（密勒電容）。
通常容易犯的錯(cuò)誤是將MOSFET地輸入電容（CISS）當(dāng)作MOSFET總柵極電容。確定柵極電容的正確的方法是看MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的總柵極電容（QG）。這個(gè)信息通常顯示在任何MOSFET的電氣特性表和典型特性曲線中。
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