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  • MOS管開關(guān)對輸入端電源的影響詳解
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-02-09 14:09:56
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    MOS管開關(guān)對輸入端電源的影響詳解
    MOS管做開關(guān)是一種常用的方式,在電路中比較常用的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管,或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常用電路如圖所示。本文分析基于圖2電路引起的MOS管做開關(guān)對輸入端電源的影響。
    MOS管 開關(guān) 電源
    圖1  三極管加MOS管形式開關(guān)電路
    MOS管 開關(guān) 電源
    圖2  NMOS加PMOS形式開關(guān)電路
    在使用圖2做電源開關(guān)時(shí),檢測電源的波形發(fā)現(xiàn),在開關(guān)導(dǎo)通的過程中對電源的輸入端有一個(gè)電源下拉的現(xiàn)象。其使用環(huán)境為,輸入電壓為DC5V,輸出DC5V,開關(guān)控制為LVTTL電平(3.3V)。其檢測的情況如下所示。
    MOS管緩沖電容對電源開關(guān)的影響
    當(dāng)沒有添加緩沖電容(圖中C305,C302,C304,C303)的時(shí)候,其對電源下拉到4.2V以下。其檢測波形如圖3所示;
    當(dāng)只添加前端緩沖電容(C302,C305)時(shí)其電源下拉情況明顯改善,電源下拉到4.5V左右,其檢測波形如圖4所示;
    當(dāng)只添加后端緩沖電容(C303,C304)時(shí),其電源下拉情況也得到明顯的改善,電源下拉到4.7V左右,其波形如圖5所示;
    當(dāng)前后端緩沖電容(C305,C302,C304,C303)都加上時(shí),其電源下拉情況和只添加后端電容時(shí),區(qū)別不大。
    MOS管 開關(guān) 電源
    MOS管緩沖電阻對電源開關(guān)的影響
    這里的緩沖電阻只測試了后端MOS管的緩沖電阻(R112)對電源開通時(shí)的影響。其測試條件為圖2種有后端緩沖電容的情況。
    當(dāng)緩沖電阻(R112)為1K時(shí),其后端電壓上升時(shí)間為2.2ms,下拉影響在4.7V左右,波形上有明顯的下拉跡象,波形如所示;
    當(dāng)緩沖電阻(R112)為12K時(shí),其后端電壓上升時(shí)間為19ms,下拉影響在4.8V左右,波形上沒有有明顯的下拉跡象,波形如所示;
    MOS管 開關(guān) 電源
    問題原理分析
    MOS管做開關(guān)時(shí)對電源有一個(gè)固有的下拉現(xiàn)象,但可以通過控制MOS管的緩沖電阻、電容來改變MOS管的開通時(shí)間,從而控制電源下拉的幅度以及波形的平緩程度。
    找到一個(gè)MOS管的開關(guān)時(shí)間的波形圖,可以支撐上面的推論。其圖如下所示。
    MOS管 開關(guān) 電源
    圖8  MOS管開關(guān)時(shí)間測試電路與波形
    其開關(guān)波形過程分析如下所示:  
    當(dāng)還沒發(fā)下拉脈沖時(shí),VGS=0,VDS=-VDD,此時(shí)MOS管關(guān)斷;
    當(dāng)發(fā)送下拉脈沖時(shí),VGS逐漸減小,VDS逐漸增加,此時(shí)MOS管開通,穩(wěn)定時(shí),VGS<0,VDS=0(PMOS的導(dǎo)通條件是VGS<0);
    MOS管做開關(guān)時(shí),對電源下拉就是這個(gè)VDS上升與VGS下降造成的,,而下拉幅度就是滿值到VDS與VGS的交叉點(diǎn)。
    而在一個(gè)固定的電路中,最初與最終的VGS、VDS值是固定了的,我們能改變的就是Td(on)與Tr值(即我們可以通過外面的緩沖電阻與電容調(diào)節(jié)開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間)。當(dāng)Td(on)與Tr值增大后,VGS與VDS的交叉點(diǎn)就相應(yīng)往上抬了,則開通時(shí)對電源的下拉幅度就會(huì)小一些。
    用MOS管做開關(guān)時(shí),對電源的下拉是必然有,但我們可以調(diào)節(jié)其下拉的幅度,因此電路中建議預(yù)留處緩沖電容與電壓的位置(根據(jù)自己需要保留其一個(gè)或者全留)。
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