色司机-色熟-色叔叔-色视影院-国产91精品久久久久999-国产91精品高清一区二区三区

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務(wù)熱線:18923864027

  • 熱門關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應(yīng)管
  • 三極管
  • 二極管
  • SiC MOSFET短路特性,短路保護(hù)解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-12-30 17:14:04
    • 來源:
    • 閱讀次數(shù):
    SiC MOSFET短路特性,短路保護(hù)解析
    SiC MOSFET的短路保護(hù)
    1.短路故障是導(dǎo)致SiC MOSFET失效的重要原因之一,盡管SiC MOSFET具有較好的導(dǎo)熱性能,但與Si器件和SiC MOSFET的短路性能相比,SiC MOSFET的短路保護(hù)在以下幾個(gè)方面更具挑戰(zhàn)性。
    (1)首先,在相同額定電流容量下,SiC MOSFET芯片面積小,電流密度高,這就導(dǎo)致SiC MOSFET短路承受能力較弱;
    (2)其次,在短路工況下,SiC MOSFET較弱的界面質(zhì)量會(huì)帶來柵極氧化層可靠性問題,由于SiC MOSFET需要更高的正向柵極偏壓,柵電場的增高會(huì)進(jìn)一步加劇短路時(shí)柵極氧化層退化問題;
    (3)為了確保SiC MOSFET可靠運(yùn)行在安全工作區(qū)內(nèi),其較弱的短路承受能力就要求短路保護(hù)電路具有更快地響應(yīng)速度。然而,與Si器件相比,SiC MOSFET 的結(jié)電容更小、開關(guān)速度更高。
    SiC MOSFET獨(dú)特的正溫度系數(shù)跨導(dǎo)導(dǎo)致其開通時(shí)的dI/dt和dV/dt 隨著結(jié)溫的升高均增大。在較高的dI/dt和dV/dt 條件下,SiC MOSFET 短路保護(hù)電路的快速響應(yīng)與抗噪聲能力難以兼顧。
    2.短路故障類型
    SiC MOSFET 短路保護(hù) 電路
    由于短路回路電感較小,一類短路故障電流上升快,對(duì)器件危害大,保護(hù)難度較高。
    3.短路測試方法
    兩種常見的短路測試方法
    SiC MOSFET 短路保護(hù) 電路
    (1)基于雙脈沖測試的短路測試方法。
    該方法使用“粗短銅排”代替雙脈沖測試電路中的負(fù)載電感來模擬短路。
    SiC MOSFET 短路保護(hù) 電路
    當(dāng)脈沖發(fā)生器向驅(qū)動(dòng) 器 1 發(fā)送高電平信號(hào)時(shí),打開上橋臂 SiC MOSFET,再向驅(qū)動(dòng)器 2 發(fā)送高電平信號(hào),就可以實(shí)現(xiàn) HSF;
    當(dāng)脈沖發(fā)生器向驅(qū)動(dòng)器 2 發(fā)送一個(gè)信號(hào)使待測 SiC MOSFET 正常開啟時(shí),再向短路控制開關(guān) S 1 發(fā)送閉 合信號(hào)使故障電感 LFault 接入功率回路,就可以實(shí)現(xiàn)FUL。
    (2)基于非線性元件的無損短路測試方法。
    SiC MOSFET 短路保護(hù) 電路
    不同的 SiC MOSFET 短路測試方法如圖所示。該方法是在被測 SiC MOSFET的短路回路中串入非線性元件,如圖所示。非線性元件在額定電流時(shí)內(nèi)阻較低,與SiC MOSFET 相比飽和電流更小。
    當(dāng)脈沖發(fā)生器通過驅(qū)動(dòng)器1開啟該非線性元件時(shí),再通過驅(qū)動(dòng)器2開啟待測器件就可以模擬HSF。當(dāng)短路電流達(dá)到該元件的飽和電流時(shí),短路電流就會(huì)被 限制。當(dāng)短路電流持續(xù)增大時(shí),該元件就會(huì)“熔斷”。
    4.短路失效模式
    目前,SiC MOSFET的短路失效模型主要有柵源級(jí)失效和熱逃逸失效;
    SiC MOSFET 短路保護(hù) 電路
    SiC MOSFET 短路保護(hù) 電路
    通過兩種失效模式的現(xiàn)象和成因不難看出,短路能量較低時(shí)可能會(huì)導(dǎo)致SiC MOSFET柵源極失效,而短路能量較高時(shí)可能會(huì)使 SiC MOSFET發(fā)生熱逃逸失效。SiC MOSFET 柵-源極失效時(shí)不一定會(huì)發(fā)生熱逃逸失效,但是熱逃逸失效發(fā)生時(shí)必定伴隨有柵-源極失效。
    5.短路保護(hù)技術(shù)
    SiC MOSFET 短路保護(hù) 電路
    6.短路關(guān)斷策略
    (1)大電阻關(guān)斷。大電阻關(guān)斷是在檢測到短路后,利用大阻值柵電阻來減緩關(guān)斷電流下降速率從 而實(shí)現(xiàn)關(guān)斷過電壓的抑制。
    然而,大電阻關(guān)斷在抑制關(guān)斷過電壓的同時(shí)也致使關(guān)斷延遲時(shí)間增大,導(dǎo)致 SiC MOSFET 不能及時(shí)關(guān)斷,為此,在關(guān)斷過程中采用不同柵極電阻關(guān)斷 SiC MOSFET 短路電流,從而兼顧了SiC MOSFET 短路關(guān)斷過電壓與關(guān)斷延遲時(shí)間,但大電阻關(guān)斷可能導(dǎo)致 SiC MOSFET因關(guān)斷損耗過大而發(fā)生失效。
    (2)降柵壓關(guān)斷。降柵壓關(guān)斷是在檢測到短路后,先緩慢降低柵極電壓,使 SiC MOSFET 維持導(dǎo)通狀態(tài)。在較低柵極電壓下,SiC MOSFET漏極電流會(huì)被限制在較低水平,經(jīng)過一定延遲后,再采用負(fù)壓關(guān)斷短路電流。該方法通過緩降柵壓抑制短路電流,從而降低短路關(guān)斷過電壓,但是該方法需要多種柵極電壓,電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜。
    〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號(hào)碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
     
    聯(lián)系號(hào)碼:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相關(guān)閱讀
    主站蜘蛛池模板: 欧美麻豆一精品一AV一免费 | 噼里啪啦免费观看视频大全 | 老师的蕾丝小内内湿透了 | 麻豆精品一卡2卡三卡4卡免费观看 | 少妇精品久久久一区二区三区 | 欧美精品专区免费观看 | 日韩精品久久日日躁夜夜躁影视 | 精品人妻伦九区久久AAA片69 | 成人精品视频在线 | ppypp午夜限制不卡影院私人 | 伊人影院2019| s8sp视频高清在线播放 | 99在线免费视频 | 午夜性色一区二区三区不卡视频 | 春暖花开 性 欧洲 | 肉色无边(高h) | 中文字幕在线不卡精品视频99 | 91免费精品国自产拍在线可以看 | 国产精品久久久久AV麻豆 | 亚洲福利区 | 国产电影一区二区三区 | 翁熄性放纵交换01 | 人妻久久久精品99系列AV | 日韩精品一卡二卡三卡四卡2021 | 午夜免费国产体验区免费的 | 伊人久久大香线蕉电影院 | 亚洲中文字幕乱倫在线 | 久久青草免费91线频观看站街 | 久久综合老色鬼网站 | 波多野结衣网站www 波多野结衣教师系列6 | 国产毛A片久久久久久无码 国产毛A片啊久久久久久A | 久久精品黄色 | 中文字幕一区二区视频 | 同居了嫂子在线观看 | 国产一区二区免费在线观看 | 给我免费播放片bd国语 | 80岁色老头69av | 女王羞辱丨vk | 国产精品第1页 | 91次元黄色观看 | adc影院欢迎您大驾光临入口 |