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  • 介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)
    • 發(fā)布時間:2022-03-22 18:16:47
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    介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)
    值。基本上功率因數(shù)可以衡量電力被有效利用的程度,當功率因數(shù)值越大,代表其電力利用率越高。
    功率因數(shù)是用來衡量用電設備用電效率的參數(shù),低功率因數(shù)代表低電力效能。為了提高用電設備功率因數(shù)的技術就稱為功率因數(shù)校正。
    對于一個整流電路,在輸出端都會并聯(lián)一個濾波電容(或者一排電容),以讓輸出的直流能更平滑,然而濾波電容會造成交流輸入電壓與輸入電流間的相位偏移。
    我們都知道功率因數(shù)的定義為有效功率與視在功率的比值,如果AC電壓和電流間的相位差為φ,那么功率因數(shù)(PF)=cosφ。如果想要提高電路的效率,那就必須想辦法提高PF。
    然而,對于整流電路,只有當AC電壓大于濾波電容兩端電壓Vc時,才會有輸入電流,這種特性就造成了AC電流波形完全從正弦波偏離,會極大地影響功率因數(shù)。為了盡量使AC電流變回正弦波,我們引入了PFC電路。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    電流I從正弦波偏離
    <補充>關于PF=cosφ的推導:
    1) 阻性負載
    對于純電阻負載,電壓與電流間不存在相位差,所以PF=1。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    阻性負載
    2) 容性/感性負載
    對于容性或感性負載,因為電壓與電流間存在相位差,所以PF<1。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    容性負載
    PFC拓撲
    被動式/無源式(Passive PFC)
    使用了被動式PFC的全波二倍壓整流電路的拓撲結構如下圖所示。在被動式PFC中,電感被用來提高功率因數(shù)。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    部分開關式(Partial-switching PFC)
    與被動式PFC相比,部分開關式PFC增加了一個開關器件,通過延長電源電流輸出時間來提高功率因數(shù)。當開關器件導通時,來自電源的電能會儲存在電感中。因此,部分開關式PFC還具有boost的功能。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    主動式/有源式(Active PFC)
    最基礎的主動式PFC(利用了boost電路)的拓撲結構如下。紅色箭頭代表了MOSFET導通時的電流路徑,綠色箭頭則是MOSFET關斷時的電流路徑。根據(jù)電流的導通模式,主動式PFC可以分成3種模式:CCM,CRM(BCM),DCM。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    基于boost電路的主動式PFC
    ① 連續(xù)導通模式(Continuous Conduction Mode, CCM)
    在連續(xù)導通模式下,一直會有電流流過電感,因此MOSFET需要在電感電流變成0之前開通。通常來講,CCM會工作在一個固定的頻率下,以控制AC輸入電流呈正弦波。和其他模式相比,CCM的優(yōu)點是能夠降低電感電流的紋波。
    其缺點是,當MOSFET開通時,濾波電容的電壓會反向加在二極管上,由于正向導通時的少數(shù)載流子們依舊聚集在PN結兩側,在這個反向電壓的作用下少數(shù)載流子會發(fā)生漂移運動,二極管會形成較大的反向電流。
    這個反向電流再加上電感電流會一起流過MOSFET,因此MOSFET會產(chǎn)生較大的開通損失(turn-on loss)。為了減少這種開通損失,建議選用SiC肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD),因為肖特基二極管的反向恢復時間較短。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    連續(xù)導通模式
    ② 臨界導通模式(Critical Conduction Mode, CRM/Boundary Conduction Mode, BCM)
    在臨界導通模式下,MOSFET會在電感電流降到0時開通,因此MOSFET的開通損失較小。CRM需要監(jiān)測電路輸出電壓,然后根據(jù)電壓調整MOSFET脈沖寬度。
    當輸出電壓過高時,會減小MOSFET脈沖寬度;當輸出電壓過低時,會增加MOSFET脈沖寬度。所以諧振頻率也不會固定,因為需要根據(jù)輸出電壓調整。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    臨界導通模式
    ③ 不連續(xù)導通模式(Discontinuous Conduction Mode, DCM)
    在不連續(xù)導通模式下,每個周期內都存在電流為0的時期。與其他兩種模式相比,DCM的峰值電流較大,MOSFET關斷損失(turn-off loss)較大,電路的整體效率較低。但是,DCM不會受到二極管反向恢復時間的影響,MOSFET的開通損失也很小。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    不連續(xù)導通模式
    ④ 3種模式的比較
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    PFC應用電路
    MOSFET并聯(lián)型PFC(PFC with parallel MOSFETs)
    使用多個MOSFET并聯(lián)能夠支持大電源輸入,因為電流會被分流,也同時減小了開關損耗。對于每個MOSFET,必須保證它們的電氣特性和驅動條件相同。
    功率因數(shù)校正 電路 MOSFET
    MOSFET并聯(lián)型PFC
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