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MOS管的開關(guān)特性介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2021-03-20 14:11:59
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MOS管的開關(guān)特性介紹
1. MOSFET結(jié)構(gòu)
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)分為N溝道NMOS和P溝道PMOS。
下圖為NMOS的結(jié)構(gòu)圖:
MOS管的開關(guān)特性
2. MOSFET符號(hào)
NMOS的符號(hào)圖如下所示:
MOS管的開關(guān)特性
PMOS的符號(hào)如下圖所示:
MOS管的開關(guān)特性
3. MOSFET的特性曲線
下面以NMOS為例,介紹MOSFET的特性曲線,下圖為NMOS放大電路示意圖:
MOS管的特性
在可變電阻區(qū),負(fù)載電流iD隨著UGS成非線性關(guān)系,同時(shí)受輸出電壓UD的影響;
在恒流區(qū),負(fù)載電流iD隨UGS的增加而增加,且不隨輸出電壓UD的變化而變化;
在夾斷區(qū),負(fù)載電流iD基本為0。
MOS管的特性
4.MOSFET開關(guān)特性
當(dāng)柵極G和源極S之間的電壓VGS小于VGS(th)時(shí),由于漏極D和源極S之間有一個(gè)反向PN結(jié)截止,所以漏極電壓等于VGS;
當(dāng)柵極G和源極S之間的電壓VGS大于2VGS(th)時(shí),P型襯底的自由電子被吸引到兩個(gè)N溝道之間,當(dāng)濃度達(dá)到一定程度,兩N溝道被連接起來(lái),從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。此時(shí)VGS為地電平(實(shí)際電路中,漏極D與電源之間有負(fù)載)。
這樣就可以通過(guò)控制VGS的高低,實(shí)現(xiàn)NMOS開關(guān)電路。
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