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  • 增強型N溝道場效應管(MOSFET)的電池反接保護電路圖解
    • 發布時間:2021-03-17 14:49:02
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    增強型N溝道場效應管(MOSFET)的電池反接保護電路圖解
    增強型N溝道場效應管
    功率場效應管(MOSFET)典型應用電路
    1、電池反接保護電路
    電池反接保護電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法,在電池接反時,PN結反接無電壓降,但在正常工 作時有0.6~0.7V的管壓降。采用導通電阻低的增強型N溝道場效應管(MOSFET)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID),如Si9410DY的RDS(ON)約為0.04Ω,則在lA時約為0.04V。這時要注意在電池正確安裝時,ID并非完全通過管內的二極管,而是在VGS≥5V時,N導電溝道暢通(它相當于一個極小的電阻)而大部分電流是從S流向D的(ID為負)。而當電池裝反時,場效應管(MOSFET)不通,電路得以保護。
    NMOS管接在電源的負極,柵極高電平導通。
    PMOS管接在電源的正極,柵極低電平導通。
    2、觸摸調光電路
    一種簡單的觸摸調光電路如圖10。當手指觸摸上觸頭時,電容經手指電阻及100k充電,VGS漸增大,燈漸亮;當觸摸下觸頭時,電容經
    100k及手指電阻放電,燈漸暗到滅。
    3、甲類功率放大電路
    由R1、R2建立VGS靜態工作點(此時有一定的ID流過)。當音頻信號經過C1耦合到柵極,使產生-△VGS,則產生較大的△ID,經輸出變壓器阻抗匹配,使4~8Ω喇叭輸出較大的聲功率。圖ll中Dw為9V穩壓二極管,是保護G、S極以免輸入過高電壓而擊穿。從圖中也可以看出,偏置電阻的數值較大,因為柵極輸入阻抗極高,并且無柵流。
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