功率器件簡介
本文講功率器件保護措施有哪些？我們先對功率器件做一個簡單的介紹。功率半導(dǎo)體是集成電路一個非常重要的組成部分，市場空間有400多億美元，從大方面講有200多億美元是功率IC，還有100多億是功率器件。手機充電器，手機當(dāng)中都會有功率器件。功率器件主要的部分，體量比較大的是IGBT。把IGBT、VDMOS做好，就是一個很好的硬件廠商。IGBT模塊是雙子器件，它的特點是頻率低一點，但是能量密度稍微大一點。所以像在新能源汽車，軌道交通應(yīng)用得更廣泛。
功率器件的重要性，我們從下面2個人說的話就能體現(xiàn)，一個是國際能源互聯(lián)網(wǎng)研究院院長邱宇峰說的，已經(jīng)知道電網(wǎng)將從鋼鐵網(wǎng)變成半導(dǎo)體電網(wǎng)，這是一個方面，半導(dǎo)體電網(wǎng)的核心的部件就是IGBT。另外一個重要的應(yīng)用領(lǐng)域是軌道交通，我們說高鐵是中國高端制造的名片，但是它的核心部分就是IGBT模塊，類似于手機當(dāng)中的CPU。還有一個更重要的領(lǐng)域，我們國家強推的新能源汽車，新能源汽車功率器件占整個成本的7%到10%，要到1000美元。
正是因為功率器件在高端行業(yè)有核心的應(yīng)用，像國家電網(wǎng)本來是做電網(wǎng)的，現(xiàn)在自己也整了個公司做功率器件，做IGBT。
功率器件保護措施詳解
隨著社會的不斷進步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計，功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。目前用于電子產(chǎn)品和自動化電子控制設(shè)備及功率半導(dǎo)體器件的保護方法有如下幾種：
一、檢測主電路電流法
該方法是在主電路電源輸入端串聯(lián)接入檢測元件(檢測電阻、互感器等)，通過檢測電路中總電流在檢測元件上的電壓降或電流大小獲得相應(yīng)電流或電壓信號，經(jīng)過電路放大處理，與保護電路的動作閾值比較，決定保護與否;
該保護方法由于采用了電子技術(shù)，和保險絲法相比其靈敏度和反映速度都得到了提高，不過這種方法依然檢測的是電路的總電流，而故障功率半導(dǎo)體器件的工作電流只是總電流的幾分之一甚至幾十分之一，其變化不足以引起保護電路有效反應(yīng)。
所以該方法總是在故障電流形成之后才有響應(yīng)，造成檢測結(jié)果和保護動作的滯后，根本適應(yīng)不了對功率半導(dǎo)體器件的保護要求。所以該保護方法和保險絲一樣，只能在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)損壞和惡性過流故障發(fā)生后起到防止故障進一步擴大的作用。對功率器件的保護仍無能為力。
二、并聯(lián)式檢測功率器件電壓法
這種方法就是保護電路與被保護功率器件并聯(lián)連接，通過檢測被保護器件工作時的電壓來獲得信號，根據(jù)電壓情況判斷電路是否出現(xiàn)故障，保護方法采用就地式保護方式，即通過強行切斷被保護功率器件本身的控制信號，迫使其停止工作以實現(xiàn)對其的保護。
由于該方法檢測的是電壓信號，可以在電路出現(xiàn)異常時即時發(fā)現(xiàn)故障，在故障電流還未形成時即進行保護，避免了故障電流對器件的沖擊。根據(jù)對實際應(yīng)用電路的測試和長期使用證明，保護動作時被保護功率器件的工作電流由正常值減小到零，不存在大電流沖擊，對功率器件的性能壽命無任何影響。所以不怕惡性故障和永久性故障。是一種比較理想的保護方法。
該保護方法還有下列特點：
1、保護電路并聯(lián)接入，主工作回路中不串接任何元件，電源利用率高，無熱源。
2、檢測對象是被保護功率器件的工作電壓，所以保護電路的輸入阻抗高、功耗小，檢測精度高。
3、檢測的是被保護對象本身的工作狀態(tài)，保護又直接施加在被保護對象上，因此針對性強，保護及時可靠。
4、在電路正常時，保護電路只起監(jiān)視功率半導(dǎo)體器件工作情況的作用，不參與更不影響功率半導(dǎo)體器件的工作，當(dāng)實施保護時只關(guān)斷故障涉及到的功率器件(當(dāng)然，也可在關(guān)斷被保護器件的同時切斷單元電路或整個設(shè)備的電源供給)，不影響設(shè)備其它部分的工作，這點對很多設(shè)備非常必要。
該保護電路的不足是：只對被保護器件的工作狀態(tài)進行定性檢測，所以，若用于電壓控制型功率器件，只能對負載短路和嚴(yán)重過流故障有理想的保護效果。
三、保險絲法
這是一種傳統(tǒng)的保護方法。保險絲常串接在電路的電源輸入端用以控制整個電路的總電流。其工作原理是靠電路出現(xiàn)故障后增大的故障電流流過保險絲時導(dǎo)致其發(fā)熱升溫自行熔化，以切斷電源供給達到保護目的。保險絲法有實施簡單、維護容易、成本低，保護時電源切斷徹底等優(yōu)點，所以被廣泛應(yīng)用在目前所有的電子電路和電子設(shè)備中。
不過，由于保險絲中流過的是電路的總電流，單只功率半導(dǎo)體器件中工作電流的變化不足以引起其有效反應(yīng);加之保險絲熔化速度慢，只能在功率半導(dǎo)體器件損壞后或電路惡性短路故障發(fā)生后故障電流成倍增加之后才會熔斷，所以，只能起到防止故障進一步擴大的作用，對功率半導(dǎo)體器件起不到保護作用。
四、檢測功率器件工作電流法
這是目前比較常用的功率半導(dǎo)體器件保護方法，對功率半導(dǎo)體器件有一定的保護作用。該方法是在被保護的功率半導(dǎo)體器件工作電流通路中串入檢測元件(電阻或電流互感器等)，通過檢測被保護器件的工作電流在檢測元件上的電流或電壓信號，再經(jīng)電路處理獲得故障信號，通過??保險絲或關(guān)斷電源等方法進行保護。
檢測功率器件工作電流法的工作原理和線路結(jié)構(gòu)與檢測主電路電流法相同，不同的是檢測對象是被保護器件的工作電流，所以靈敏度比檢測主電路電流法要高，效果也要好。如果該方法是采用電子器件關(guān)斷電流通路來實施保護，就能在管子發(fā)生過流故障后起到一定保護作用。
不過因該方案仍采用檢測電流法，即總是在故障形成、被保護器件受到高電壓、大電流的沖擊后才能檢測出故障信號然后進行保護，仍然造成信號獲取滯后。如果被保護器件選用的功率余量小或電路故障嚴(yán)重，被保護器件仍然會立即損壞;若被保護器件功率余量大而且故障程度不嚴(yán)重時器件一般不會損壞;
不過由于故障電流的沖擊仍造成被保護器件的性能明顯下降、壽命減短，給整機的性能和可靠性埋下隱患。所以該方法對惡性過流、負載短路等故障起初幾次有一些保護效果，但性能仍不理想。實際使用證明，器件經(jīng)過有限幾次故障電流的沖擊就失效了。
檢測被保護器件工作電流法除檢測和保護滯后外，還存在下列缺陷：
1、由于主電流通路中接有電阻或電流互感器等檢測元件，降低了輸出電壓，使輸出功率下降，電源利用率降低，這在采用低電壓供電的電路中矛盾更突出。
2、檢測電阻發(fā)熱量大、散熱困難，易造成整機溫度升高、工作穩(wěn)定性下降。
3、互感器體積大，使用不便;檢測電阻阻值小，要求精度高，導(dǎo)致成本也高。當(dāng)然，采用其它檢測元件同樣存在這個問題。
4、保護電路復(fù)雜，制作困難;一般都是隨機設(shè)計、通用性差等。
五、并聯(lián)式檢測工作壓降法
由于功率半導(dǎo)體器件本身導(dǎo)通電阻的存在，任何情況的過載過流都會引起其飽和壓降或工作壓降的增大，即不管半導(dǎo)體器件的工作狀態(tài)如何，通過其任何大小的電流時器件本身都會有一個對應(yīng)的工作電壓降值;監(jiān)視和監(jiān)測功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通時的電壓降，根據(jù)其電壓降的大小即可判斷過流過載的情況和程度。
該方法的工作原理和連接方法與并聯(lián)式功率器件工作狀態(tài)電壓檢測法相同，所以也具有并聯(lián)式檢測功率半導(dǎo)體器件工作狀態(tài)電壓法的所有優(yōu)點;區(qū)別是該方法對被保護器件的工作電壓進行定量檢測，因而對工作狀態(tài)的測量和故障的判斷更準(zhǔn)確。
功率器件的技術(shù)發(fā)展趨勢
所有的高壓器件，這個技術(shù)是電子科大提出的，也因為這項工作獲得了中科院的院士資格。這可以寫進教科書，當(dāng)時介紹的時候用了這么一句話，在半導(dǎo)體的歷史上，陳先生把這個理論給推翻了，在半導(dǎo)體行業(yè)這是第一次。以至于陳先生的工作，正是因為他的奠基性的工作，使得公司在這個行業(yè)是非常領(lǐng)先的。
從國內(nèi)來看，這個結(jié)構(gòu)看起來很簡單，實際上有兩種，一個是溝槽，一個是多次外延和注入。多次外延占了80%的市場份額，因為它的生產(chǎn)歷史比較早，在陳院士提出來以后，他把專利很早提出來了，但是國內(nèi)實現(xiàn)不了，后來infineon看了專利以后用了幾年的時間，1998年就實現(xiàn)了。所以它的市場化份額開始得比較早。
下面是溝槽刻蝕和回填，這就是先挖一個，再填充，這個工藝現(xiàn)在主要是華虹采取這個工藝。主要有兩家廠家做，從工藝角度來說，華虹的工藝更好。在很深的溝槽里面填充一個沒有缺陷的P型單晶是非常有挑戰(zhàn)性的，你可以在市場上看，華虹是非常好。大家有機會看看華虹每個財季的財報都很漂亮，利潤很高。再仔細看業(yè)務(wù)拆分的話，排第一的就是高壓超結(jié)。
下面是低壓的VDMOS，一開始也是平面的，再到普通溝槽，然后到現(xiàn)在最熱的SGT，現(xiàn)在是非常熱的。實際上每一家的斷代都不一樣，但都是從平面的PT結(jié)構(gòu)，到最新的PF+RC。從芯片厚度來說，頭發(fā)絲直徑30微米，IGBT60V在五六十微米，所以在8寸上面的精度非常高。應(yīng)該來說國內(nèi)和國際有兩代到三代的差別，所以目前IGBT落后還是蠻多的。在學(xué)術(shù)界熱的就是寬禁代，在五年之內(nèi)寬禁代碳化硅也會發(fā)展平穩(wěn)，以未來十年來看，增長量會非常大。
今天這個節(jié)點上，國內(nèi)碳化硅和氮化鎵剛剛興起。剛才談的是行業(yè)的現(xiàn)狀，現(xiàn)在談中國的現(xiàn)狀，因為比較分散，數(shù)據(jù)也不好搞，所以很多數(shù)據(jù)是來自國外的。這是2012年的一個報告，從這個上面結(jié)合我剛才談的圖，功率器件的市場基本上是在中國，我估計70%的功率器件在中國。
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