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  • 如何理解場效應(yīng)管參數(shù)-解讀MOS管參數(shù)
    • 發(fā)布時間:2020-05-14 18:26:35
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    如何理解場效應(yīng)管參數(shù)-解讀MOS管參數(shù)
    場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
    場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡寫成FET。
    場效應(yīng)管參數(shù)
    怎樣理解場效應(yīng)管參數(shù)
    場效應(yīng)管參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時只需關(guān)注以下主要參數(shù):飽和漏源電流IDSS、夾斷電壓UP(結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管)或開啟電壓UT(增強(qiáng)型絕緣柵管)、跨導(dǎo)gm漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。
    (1)飽和漏源電流
    飽和漏源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
    (2)夾斷電壓
    夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕型場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止上時的柵極電壓。如圖4-25所示為N溝道管的UGS-ID曲線,可明確看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UDS-ID曲線。
    場效應(yīng)管參數(shù)
    (3)開啟電壓
    開肩電壓UT是指增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線,可明確看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
    場效應(yīng)管參數(shù)
    (4)跨導(dǎo)
    跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID控制能力,即漏極電流ID變化與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。
    (5)漏源擊穿電壓
    漏源擊穿電樂BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。
    (6)最大耗散功率
    最大耗散功率PDSM也是一項(xiàng)極限參數(shù),足指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。
    (7)最大漏源電流
    最大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM。
    場效應(yīng)管特點(diǎn)
    與雙極型晶體管相比,場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。
    (1)場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);
    (2)場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。
    (3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
    (4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
    (5)場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng);
    (6)由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
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