結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和MOS管P溝道兩種。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子介入導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子介入導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼乳L(zhǎng)處，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)盛競(jìng)爭(zhēng)者。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管因?yàn)檩斎胱杩垢撸ò∕OS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)留意以下規(guī)則：
（1）. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。
（2）.掏出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來(lái)盛放待用器件。
（3）.MOS器件出廠時(shí)通常裝在玄色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)留意分類，不能隨意互換。
（4）. 焊接用的電烙鐵必需良好接地。在檢驗(yàn)電路時(shí)應(yīng)留意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。
（7）. MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在答應(yīng)前提下，最好接入保護(hù)二極管。
（5）. 在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開(kāi)。拆機(jī)時(shí)順序相反。
（6）.電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。
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