mos管功率各種參數(shù)大全
mos管基本參數(shù)
向傳輸電容 Crss = CGD .
Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD .
Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).
Tf :下降時(shí)刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時(shí)刻.
Td(off) :關(guān)斷延遲時(shí)刻.輸入電壓下降到 90%開端到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時(shí) 10% 的時(shí)刻.
Tr :上升時(shí)刻.輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時(shí)刻.
Td(on):導(dǎo)通延遲時(shí)刻.從有輸入電壓上升到 10% 開端到 VDS 下降到其幅值90%的時(shí)刻.
Qgd :柵漏充電(考慮到 Miller效應(yīng))電量.
Qgs:柵源充電電量.
Qg :柵極總充電電量.
MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器材,驅(qū)動(dòng)的進(jìn)程即是柵極電壓的建立進(jìn)程,這是經(jīng)過(guò)對(duì)柵源及柵漏之間的電容充電來(lái)完成的,下面將有此方面的詳細(xì)論述.
gfs:跨導(dǎo).是指漏極輸出電流的改變量與柵源電壓改變量之比,是柵源電壓對(duì)漏極電流操控才能巨細(xì)的測(cè)量. gfs 與 VGS 的轉(zhuǎn)移聯(lián)系圖如下圖所示.
動(dòng)態(tài)參數(shù)
IGSS :柵源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 通常在納安級(jí).
IDSS :飽滿漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、
VDS 為必定值時(shí)的漏源電流.通常在微安級(jí).
VGS(th) :敞開電壓(閥值電壓).當(dāng)外加?xùn)艠O操控電壓 VGS超越VGS(th)
時(shí),漏區(qū)和源區(qū)的外表反型層形成了銜接的溝道.應(yīng)用中,常將漏極短接前提下 ID即是毫安時(shí)的柵極電壓稱為敞開電壓.此參數(shù)通常會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所下降.
RDS(on) :在特定的 VGS (通常為 10V)、結(jié)溫及漏極電流的前提下, MOSFET 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗.它是一個(gè)非常重要的參數(shù),決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率.此參數(shù)通常會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）. 故應(yīng)以此參數(shù)在最高作業(yè)結(jié)溫前提下的值作為損耗及壓降計(jì)算.
△V(BR)DSS/ △
Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),通常為0.1V/ ℃.
V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0
時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常作業(yè)所能接受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的作業(yè)電壓必需小于V(BR)DSS .它具有正溫度特性.故應(yīng)以此參數(shù)在低溫前提下的值作為安全考慮. 加負(fù)壓非常好。
靜態(tài)參數(shù)
TSTG :存儲(chǔ)溫度范圍.
Tj:最大作業(yè)結(jié)溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器材規(guī)劃的作業(yè)前提下須確應(yīng)防止超越這個(gè)溫度,并留有必定裕量. （此參數(shù)靠不?。?/div>
VGS:最大柵源電壓.，通常為：-20V~+20V
PD:最大耗散功率.是指場(chǎng)效應(yīng)管機(jī)能不變壞時(shí)所容許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有必定余量.此參數(shù)通常會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.（此參數(shù)靠不住）
IDM:最大脈沖漏源電流.表現(xiàn)一個(gè)抗沖擊才能，跟脈沖時(shí)刻也有聯(lián)系，此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
ID:最大漏源電流.是指場(chǎng)效應(yīng)管正常作業(yè)時(shí),漏源間所容許經(jīng)過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的作業(yè)電流不應(yīng)超越 ID .此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
極限參數(shù)
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
aID---漏極電流溫度系數(shù)
Vn---噪聲電壓
η---漏極效率（射頻功率管）
Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
VGu---柵襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VGD---柵漏電壓（直流）
VDS(sat)---漏源飽滿電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
Tstg---貯成溫度
Tc---管殼溫度
Ta---環(huán)境溫度
Tjm---最大容許結(jié)溫
Tj---結(jié)溫
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）
POUT---輸出功率
PIN--輸入功率
PDM---漏極最大容許耗散功率
PD---漏極耗散功率
R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
R(th)jc---結(jié)殼熱阻
RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）
rGS---柵源電阻
rGD---柵漏電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS---漏源電阻
Ls---源極電感
LD---漏極電感
L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）
Ku---傳輸系數(shù)
K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
gds---漏源電導(dǎo)
ggd---柵漏電導(dǎo)
GPD---共漏極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
Gp---功率增益
gfs---正向跨導(dǎo)
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）
Iu---襯底電流
IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽滿電流
IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽滿電流
IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
IF---二極管正向電流
IGP---柵極峰值電流
IGM---柵極脈沖電流
IGSO---漏極開路時(shí)，截止柵電流
IGDO---源極開路時(shí)，截止柵電流
IGR---反向柵電流
IGF---正向柵電流
IG---柵極電流（直流）
IDS(sat)---溝道飽滿電流（漏源飽滿電流）
IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流
IDSM---最大漏源電流
IDS---漏源電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
ID(on)---通態(tài)漏極電流
dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）
di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）
Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量
Iar: 雪崩電流
一些別的的參數(shù)
Ton:正導(dǎo)游通時(shí)刻.(根本能夠忽略不計(jì)).
Qrr :反向恢復(fù)充電電量.
Trr :反向恢復(fù)時(shí)刻.
VSD :正導(dǎo)游通壓降.
ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).
IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).
體內(nèi)二極管參數(shù)
結(jié)點(diǎn)到鄰近環(huán)境的熱阻,含義同上.
外殼到散熱器的熱阻,含義同上.
結(jié)點(diǎn)到外殼的熱阻.它標(biāo)明當(dāng)耗散一個(gè)給定的功率時(shí),結(jié)溫與外殼溫度之間的差值巨細(xì).公式表達(dá)⊿ t = PD* ?.
熱阻
EAR:重復(fù)雪崩擊穿能量.
IAR :雪崩電流.
EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數(shù),闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.
雪崩擊穿特性參數(shù):這些參數(shù)是 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能接受過(guò)壓才能的目標(biāo).假設(shè)電壓超越漏源極限電壓將致使器材處在雪崩狀態(tài).
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