在IC上制造的最復(fù)雜的元件是晶體管。晶體管具有各種類型，例如CMOS，BJT，F(xiàn)ET。我們根據(jù)要求選擇在IC上實(shí)施的晶體管技術(shù)類型。在本文中，讓我們熟悉CMOS晶體管制造（或?qū)⒕w管制造為CMOS）的概念。
CMOS晶體管制造工藝
為了降低功耗要求，CMOS技術(shù)用于實(shí)現(xiàn)晶體管。如果我們需要更快的電路，則可以使用 BJT在IC上實(shí)現(xiàn)晶體管。制造CMOS晶體管的集成電路可以在三種不同的方法來(lái)完成。
N阱/ P阱技術(shù)，其中分別在p型襯底上進(jìn)行n型擴(kuò)散或在n型襯底上進(jìn)行p型擴(kuò)散。
雙阱技術(shù)，其中NMOS和PMOS晶體管，通過(guò)同時(shí)擴(kuò)散在外延生長(zhǎng)基極發(fā)展了晶片，而不是基底上。
絕緣體上硅工藝，而不是使用硅作為襯底，而是使用絕緣體材料來(lái)提高速度和閂鎖敏感性。
N阱/ P阱技術(shù)
可以通過(guò)在同一硅晶片上集成NMOS和PMOS晶體管來(lái)獲得CMOS 。在N型阱技術(shù)中，n型阱擴(kuò)散在p型襯底上，而在P型阱中則相反。
CMOS制作步驟
在CMOS制造工藝 流是使用20基本的制造步驟進(jìn)行，同時(shí)使用N-阱/ P阱技術(shù)制造。
用N阱制作CMOS
步驟1：首先，我們選擇基板作為制造基礎(chǔ)。對(duì)于N阱，選擇P型硅襯底。
步驟2 –氧化：使用SiO2作為阻擋層可實(shí)現(xiàn)n型雜質(zhì)的選擇性擴(kuò)散，該阻擋層可保護(hù)晶片的某些部分免受襯底污染。通過(guò)在大約1000 0 c 的氧化室內(nèi)將基板暴露于優(yōu)質(zhì)氧氣和氫氣的氧化工藝來(lái)布置SiO 2
步驟3 –光致抗蝕劑的生長(zhǎng)：在此階段，可以進(jìn)行選擇性蝕刻，然后對(duì)SiO2層進(jìn)行光刻處理。在該過(guò)程中，晶片上涂有均勻的感光乳劑膜。
步驟4 –掩模：此步驟是光刻工藝的繼續(xù)。在此步驟中，使用模版制作所需的開放性圖案。該模板用作光致抗蝕劑上的掩模。現(xiàn)在使基材暴露于紫外線下，存在于掩模暴露區(qū)域下的光致抗蝕劑發(fā)生聚合。
步驟5 –去除未曝光的光致抗蝕劑：去除掩模，并使用三氯乙烯等化學(xué)物質(zhì)顯影晶圓，以溶解未曝光的光致抗蝕劑區(qū)域。
步驟6 –蝕刻：將晶片浸入氫氟酸蝕刻溶液中，該溶液從要擴(kuò)散摻雜劑的區(qū)域去除氧化物。
步驟7 –去除整個(gè)光刻膠層：在蝕刻過(guò)程中，SiO2受光刻膠層保護(hù)的部分不受影響。現(xiàn)在用化學(xué)??溶劑（熱的H2SO4）剝離光刻膠掩模。
步驟8 – N阱的形成： n型雜質(zhì)通過(guò)暴露區(qū)域擴(kuò)散到p型襯底中，從而形成N阱。
步驟9 –去除SiO2：現(xiàn)在使用氫氟酸去除SiO2層。
步驟10 –沉積多晶硅：CMOS晶體管的柵極未對(duì)準(zhǔn)會(huì)導(dǎo)致多余的電容，從而損壞電路。因此，為了防止這種“自對(duì)準(zhǔn)柵極工藝”，在使用離子注入形成源極和漏極之前先形成柵極區(qū)域的情況下，最好采用這種方法。
多晶硅用于形成柵極，是因?yàn)楫?dāng)晶片經(jīng)受用于形成源極和漏極的退火方法時(shí)，多晶硅可以承受大于8000 0 c的高溫。通過(guò)使用化學(xué)沉積工藝在柵極氧化物的薄層上沉積多晶硅。多晶硅層下方的薄柵極氧化物可防止在柵極區(qū)域下方進(jìn)一步摻雜。
步驟11 –形成柵極區(qū)域：除了為NMOS和PMOS晶體管形成柵極所需的兩個(gè)區(qū)域之外，還去除了多晶硅的其余部分。
步驟12 –氧化工藝：在晶片上方沉積一層氧化層，作為進(jìn)一步擴(kuò)散和金屬化工藝的屏蔽層。
步驟13 –掩膜和擴(kuò)散：為了通過(guò)掩膜工藝形成用于擴(kuò)散n型雜質(zhì)的區(qū)域，需要制作一些小間隙。
利用擴(kuò)散工藝，開發(fā)了三個(gè)n +區(qū)域用于NMOS端子的形成。
步驟14 –去除氧化物：去除氧化物層。
步驟15 – P型擴(kuò)散：類似于用于形成PMOS端子的n型擴(kuò)散。
步驟16 –厚場(chǎng)氧化物的鋪設(shè)：在形成金屬端子之前，應(yīng)先鋪設(shè)厚場(chǎng)氧化物以形成用于不需要端子的晶圓區(qū)域的保護(hù)層。
步驟17 –金屬化：此步驟用于形成可以提供互連的金屬端子。鋁散布在整個(gè)晶片上。
步驟18 –去除多余的金屬：從晶圓上去除多余的金屬。
步驟19 –端子的形成：在去除多余金屬端子后形成的間隙中，形成互連用的端子。
步驟20 –分配端子名稱：將名稱分配給NMOS和PMOS晶體管的端子。
使用P阱技術(shù)制作CMOS
p阱工藝與N阱工藝相似，不同之處在于，這里使用n型襯底并且進(jìn)行p型擴(kuò)散。通常為了簡(jiǎn)單起見，優(yōu)選N阱工藝。
CMOS雙管制造
使用雙管工藝可以控制P型和N型器件的增益。使用雙管法制造CMOS的 各個(gè)步驟如下：
• 取輕摻雜的n或p型襯底，并使用外延層。外延層可保護(hù)芯片中的閂鎖問題。
• 生長(zhǎng)具有測(cè)量的厚度和確切的摻雜劑濃度的高純度硅層。
• P和N井管的形成。
• 薄氧化物結(jié)構(gòu)，可防止擴(kuò)散過(guò)程中的污染。
• 源極和漏極使用離子注入方法形成。
• 進(jìn)行切割以制造用于金屬觸點(diǎn)的部分。
• 進(jìn)行金屬化以繪制金屬觸點(diǎn)
CMOS IC布局
給出了CMOS制造和布局的俯視圖 。在這里可以清楚地看到各種金屬接觸和N阱擴(kuò)散。因此，這全部與CMOS制造技術(shù)有關(guān)。讓我們考慮一個(gè)1平方英寸的晶圓，該晶圓分為400個(gè)芯片，表面積為50 mil x 50 mils。制造晶體管需要50 mil2的面積。因此，每個(gè)IC包含2個(gè)晶體管，因此在每個(gè)晶片上構(gòu)建2 x 400 = 800個(gè)晶體管。如果每批處理10個(gè)晶圓，則可以同時(shí)制造8000個(gè)晶體管。您在IC上還觀察到哪些組件？
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