場應管偶次諧波豐厚,聽感頗有電子管的風味。而且其輸出功率相比電子管能夠做得很大,且本錢不高,所以前級配場效應管功放,在發燒圈內很流行。 本電路輸入局部較為簡沾。采用一對性能指標完整分歧的音頻低噪聲管C1815組成差分放大電路。由負載輸出端的33kΩ電阻和1kΩ電阻經分壓反應到BG2的基極,自動均衡輸出管的工作電壓,省去調整中點電壓的費事,實測<50mV。
BG3是一級恒流源,以改善差分放大電路的共模抑止比。其基極電位是由發光二極管提供,性能和信噪比優于穩壓二極管,使BG3的基極電位控制在1.8V左右。工作時,該管還可起到指示燈的作用。BG5是另一級恒流源,使BG4的電壓增益有較大進步。
BG6、BG7、BG8為中功率電壓放大推進管。其中BG6起到調整整機靜態電流的作用,調整元件只要帶鎖緊螺栓的VR一個。調試前,該可調電阻置于中間位置,用1A直流電流表串接在正電源和二只功率管的D極,微調VR,阻值大則電流大,普通調整在200mA左右,并鎖緊可調電阻。由于場效應管的負溫度特性,靜態電流會自動減流。但不會影響整機的正常工作。8只場敏應管應盡最配對分歧,這樣可避免某管發熱最大的情況。K85l、K854等場效應管拆機品價錢非常低廉,性能穩定,音質表現較好。
本機耦合電容器儀有輸入端每聲道一個,一定要采用CBB無感電容。筆者經過實驗。任何電解電容(包括極品),由于存在一定的漏電率。卷繞電感和轉換速率低等缺陷,在大音狀態下都不能勝任。聲音聽感欠佳。
電源采用100W以上變壓器。次級交流電壓為2x26V或2x28V。整流橋電流大于l0A。用4只6800μF/50VELNA高速電解電容作濾波。并且并聯上lμFCBB電容作高頻退耦。
揚聲器維護電路裝置完成后,可實驗一下能否正常,辦法是單獨接通維護器電源,兒秒鐘內繼電器J虛吸合。在10kΩ電阻上端與地接1.5V干電池。繼電器又馬上斷開。標明工作正常。 輸入端電他器中心點接頭,由R、C和K組成超低音提升電路。小音最時按下開關后,低音得到明顯提升,覺得聲浪陣陣而來,效果確實不錯。
優點:
1、MOS 管功放具有鼓勵功率小,輸出功率大,輸出漏極電流具有負溫度系數,平安牢靠,且有工作頻率高,偏置簡單等優點。以運放的輸出作為OCL 的輸入,到達抑止零點漂移的效果。
2、中音厚,沒有三極管那么大的交越失真。
電流推進級通常由一至二級組成,為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數,常采用二級電流推進。為了防止電流推進級產生開關失真,較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態電流,這樣本級不會產生開關失真,由于任何狀況下電流推進級一直處于放大區,所以電流輸出級也一直處于放大區,因而輸出級同樣不會產生開關失真和交越失真。
3、MOS管的線性比晶體管好。
缺點:
1、低頻的溫和度比晶體管功放差,MOSFET開關場效應管容易被輸出和輸入過載損壞,MOSFET場效應晶體管既具有晶體管的根本優點。但運用不久發現這種功放的牢靠性不高(無法外電路維護),開關速度進步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初,MOSFET的制造技術有了很大打破,呈現了一種高速MOSFET大功率開關場效應晶體管。西班牙藝格公司(ECLER)經多年研討,攻克了非毀壞性維護系統的SPM專利技術,推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優點分離的第3代功放產品,在歐洲市場上取得了認可,并逐漸在世界上得到了應用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質接近電子管功放,但低頻的溫和度比晶體管功放差一些,此外MOSFET開關場效應管容易被輸出和輸入過載損壞。
2、開啟電壓太高。
3、偏流開很大,還是有一定的交越失真,沒交越失真,差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。
4、MOS管不好配對在同一批次管,相對來說要好配對一點。
5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個簡單方法,把普通三極管功放里的電壓推進三極管換成JFET,JFET才真正具有電子管音色。
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